据悉，三星电子公司在2024三星代工论坛上公布了其最新的芯片封装技术和服务路线图。这是三星首次在公开技术领域发布高带宽存储器（HBM）的三维（3D）封装技术，预计该技术将在2025年推出的第六代人工智能芯片HBM4中采用。

目前，HBM芯片主要采用2.5D技术封装，通过硅中介层与GPU水平连接。相比之下，3D封装将HBM芯片垂直堆叠在GPU之上，不需要硅中介层或位于芯片之间的薄基板来允许它们通信和协同工作。三星将其新封装技术称为SAINT-D（Samsung Advanced Interconnection Technology-D），它将进一步加速数据学习和推理处理，被视为快速增长的AI芯片市场的游戏规则改变者。

早在去年，三星就宣布了其3D AI芯片封装平台“SAINT”（三星先进互连技术），涵盖三种前沿技术：用于垂直堆叠SRAM与CPU的“SAINT-S“；实现CPU、GPU等处理器与DRAM内存垂直封装的”SAINT-D“；以及专注于应用处理器（AP）等逻辑芯片堆叠的”SAINT-L“。这一系列技术终于将在今年正式投入使用。

受人工智能计算系统所用元件需求的推动，高端存储芯片需求暴涨。三星总裁兼设备解决方案业务部芯片合同制造总经理Siyoung Choi在2024三星代工论坛上表示：“我们确实生活在AI时代，生成式AI的出现正在彻底改变技术格局。”

三星表示将在年内推出高带宽内存（HBM）的3D封装服务，并在明年推出的第六代HBM芯片HBM4。三星将提供HBM 3D封装的一揽子解决方案，将内存业务部门生产的HBM芯片与代工部门组装的逻辑芯片进行垂直堆叠封装。三星认为，其在逻辑芯片、存储系统和先进封装的综合能力，将有助于公司在人工智能相关芯片的半导体制造订单方面取得快速进展。

不久前，英伟达联合创始人兼首席执行官黄仁勋公布了其下一代AI平台Rubin将集成HBM4内存，预计于2026年发布。这一消息进一步证实了HBM技术在AI领域的广泛应用前景。