中国领先的内存芯片制造商YMTC在美国起诉美光侵犯专利

《环球时报》周日从美国加州北区地方法院的官方网站上获悉，中国领先的存储芯片制造商长江存储技术有限公司(YMTC)周四起诉美国美光科技及其全资子公司美光消费产品集团侵犯了YMTC的八项专利。

中国分析人士表示，此举是中国存储芯片企业正式向美国芯片企业发起反击的标志性事件，也标志着中国企业在存储芯片领域引领世界，完全不受美国制裁。根据中国商业新闻门户网站Yicai.com的报道，YMTC表示，该诉讼旨在结束美光对其专利创新的广泛和未经授权的使用。YMTC指出美光科技非法使用其专利技术来抵御市场竞争，并获得和保护市场份额。这家中国公司表示，该诉讼旨在解决美光通过迫使YMTC退出3D NAND闪存市场来阻止竞争和创新的企图。周日，北京社会科学院副研究员王鹏告诉《环球时报》:“YMTC此举将鼓励企业创新，保护其合法权益，维护正常的市场竞争。”。

这也表明中国在存储芯片方面的创新能力不断增强。“此外，随着中国商业和创新环境的不断改善，中国企业将有更多的后盾和法律工具来捍卫自己的合法权益。”正如起诉书中详述的那样，YMTC指出，它不再是新的市场进入者，而是已经成为全球3D NAND市场的重要参与者。YMTC说，

去年11月，分析和跟踪闪存市场的TechInsights公司得出结论，中国公司是3D NAND闪存领域的领导者，超过了美光。“这起诉讼表明，中国的存储芯片企业正式向美国企业发起反击，捍卫自己的合法权益。这也表明，中国芯片制造商已经形成了从存储芯片技术研发到制造的完整产业链，摆脱了美国的不合理压制，”北京的行业分析师马继华周日告诉《环球时报》。

NAND闪存和DRAM是两种主要类型的内存芯片。NAND flash使固态硬盘等存储设备的制造成为可能，固态硬盘被用于手机服务器和个人电脑等产品中。

马指出，中国芯片制造商在芯片层数方面处于世界领先地位。“这起诉讼表明，YMTC的知识产权比美光更先进，证明这家中国公司有足够的支持来保护自己的权利，这也给美国的其他相关企业敲响了警钟。”

2018年，YMTC量产了第一代32层3D NAND闪存芯片，并于2020年开发了两款128层闪存产品。2022年10月，美国政府发布出口管制条例，限制向中国出口芯片制造设备。去年12月，美国将YMTC列入出口管制实体名单。

除了NAND flash，美光也是主要的DRAM生产商之一。2016年，另一家生产DRAM芯片的主要存储芯片公司福建金华集成电路有限公司(JHICC)与UMC签署了技术合作协议，开发DRAM相关的工艺技术。它在中国东部福建省晋江投资了56.5亿美元建设12英寸晶圆厂生产线。2017年，美光在美国起诉JHICC和UMC，称JHICC员工窃取了其知识产权。一年后，美国商务部将JHICC列入出口管制实体名单。指出，知识产权本身就是全球合作的产物，即以商业合作为目的的相互许可。“然而，美光在2017年的做法是一个合作的坏例子，已经成为美国用来压制中国芯片公司的工具之一，”马说，并补充说，YMTC的诉讼在法律上和国际规则上都是完全合理的。