自从西方对我们极限打压和制裁之后，中国的芯片产业链就成为了全国人民瞩目的焦点，都在担心是否因为购买不到高端EUV光刻机，而影响到中国信息产业和电子产品的发展。毕竟ASML是光刻机的巨头，特别是在高端EUV光刻机领域绝对垄断。截至到目前，中国能购买到的都是中低端的DUV光刻机，而高端的EUV光刻机只不被允许卖给中国的。因此我们国内的芯片代工企业，基本上都是以代工中低端的芯片为主，而7nm及以下的工艺制程比较先进的芯片，我们只能委托代工。
当然，中国在被打压，制裁和针对之后，并没有放弃科技独立的使命。特别是在高端光刻机领域，已经使出全力，三线出击。中国在高端EUV技术领域三条路线同步突破，目前，每一条技术路线都取得了重大的科研成果。
第一个技术路线就是上海微电子的激光等离子体技术路线，这个技术路线和ASML的技术路线一致，都是用激光击穿锡滴靶材，生产出极紫外光，上海微电子申请了两个专利，一个是极紫外辐射发生装置与光刻设备，另外一个专利就是电场约束与氢自由基反应技术，一个是光刻机的专利，另外一个是光刻机工作过程中带电粒子回收的专利，目前上海微电子激光等离子体光刻机，以通过国家验收，正在组装量产，今年必定有好消息。
第二个技术路线就是哈工大的放电等离子体极紫外光刻光源，这个技术路线比激光等离子体更加先进，成本更低，被誉为是下一代光刻机技术，通过高压电场击穿锡云，生产极紫外光，而且也申请了专利，这个专利的名称叫放电等离子体极紫外光刻光源。这个科研成果获得了黑龙江省高校教职工科研突破一等奖。
第三个技术路线是上海光源的同步辐射加速器技术路线，基于同步辐射加速器，已经研发出直径28nm的小型化激光自由装备，可以生产出工业级13.5纳米的光源。13.5纳米的光源就是目前高端EUV光刻机所使用的光源。
中国光刻机事业的三线出击，只要有一个成功，都是中国科技的成功。2025年中国在EUV光刻机领域注定会给全国人民带来巨大惊喜，2028中国将会赢得颠覆性胜利。
