中兴、华为事件，暴露了我们在半导体领域制造环节的短板，当老美一次次对中企制裁，社会各界纷纷呼吁实现芯片制造的自主可控。以中科院、华为、上海微电子等为代表的组织率先向半导体发起总攻，我国也开始大力扶持本土芯片企业及科研组织。所以，这两年每隔一段时间我国芯片行业就会传来“捷报”。

比如中科鑫通此前宣布，将在2023年打造国内首条“多材料、跨尺寸”的光子芯片生产线，目前已在筹备，2023年完工基本没有压力。本源量子实验室已经打造出了完全由我国自主研发的悟空量子芯片并已交付，目前正在与计算机进行适配。

虽然我国在下一代半导体领域后劲十足，但更多的人还是着眼于当下，关注传统芯片的生产制造。

众所周知，为保持其“科技霸主”的地位，老美很早就插手我国半导体产业，比如2018年中芯国际全款向ASML订购的EUV光刻机，至今没有到货。即便如此，我国凭借着DUV光刻机依旧实现了28nm、14nm工艺芯片的量产，掌握住了IC产业的命脉。不过，此举也意味着开始蚕食西方企业的市场份额，正是如此，老美又开始打压中企的14nm，如果新规落地，很可能会波及28nm。

打破光刻机光源壁垒

而在这种关键时刻，国产芯片再次传来了好消息！国内媒体报道，哈工大成功研制出了高速超精密激光干涉仪，目前可用于350nm到28nm工艺的光刻机样机集成研制和性能测试。这意味着什么呢？

首先，光源、双工件台、物镜是光刻机的三大核心系统，双工件台、物镜方面我国已经能够实现中高端的自主可控，但光源确实是一个令人抓狂的问题。上海微电子28nm精度DUV光刻机通过了技术认证但没有实现交货，上海微电子投资人在媒体上透露，上海微电子正在与国内企业解决光源“国产化”的问题。这就意味着，光源是国产DUV光刻机的最后一块拼图，而哈工大新成果的公布，也意味着我国打破了光刻机光源壁垒，国产DUV光刻机落地的日子已经不远了！

其次，DUV光刻机经过多次曝光后是可以实现7nm工艺芯片的生产。2022年末，美芯片巨头美光借助于DUV光刻机，通过专属多重曝光技术与新材料，实现了1-beta工艺的研发，通过这种工艺打造出来的芯片，存储密度提升了35%，单颗粒容量就能达到16GB，并且还有15%的能效提升。据悉，代工巨头中芯还有SAQP技术，也叫四重曝光技术，这为我国7nm甚至5nm工艺节点的研发提供了重要的技术储备。

值得注意的是，除了高速超精密激光干涉仪，哈工大还突破了EUV激光光源技术，通过将电能转化为等离子体能的路线，这也是目前ASML所使用的DPP-EUV光源。这项技术掌握了，也就意味着距离国产EUV光刻机落地的日子又近了一步。

针对此事，一些外媒表示：在EUV光刻机核心系统方面，中国与欧美国家的差距越来越小了！

其实ASML多次发出警告：中国会造出顶级的设备，这只是时间问题。而且荷兰工程师也补充道，物理定律就在那里，而且中国科研投入是荷兰的17倍，不管是科研还是引进人才，中国可以在芯片制造、设计、封装等方面都可以实现重大突破！

当然了，关于国产EUV光刻机，我们也应该给予这些科研人员一些时间和耐心，因为并非核心零部件突破就能造出光刻机！与传统机械设备不同，光刻机是高精密设备，一台EVU光刻机重达数十吨，零部件10多万个，曾经被嘲讽“给我们图纸也造不出来”，虽然听起来刺耳，却释放了一个明显的信号：EUV光刻机组装起来很难！

总体来说，中企们在双工件台，物镜、光源，掩膜板、光刻胶等半导体核心系统和材料等方面的突破，证明了我们在芯片制造自主研发的道路上越走越远、越来越自信，在国内企业团结合作，分工明确的环境下，在国家的大力扶持之下，国产芯片的未来是可期的！

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