三星第二代3nm工艺开始试产，半导体工艺争霸战打响

三星晶圆代工厂试产第二代3nm工艺SF3，迈向先进工艺霸主之路。

三星晶圆代工厂宣布开始试产第二代3nm工艺SF3，成为三星半导体工业史上的重要里程碑。这标志着三星将与台积电争夺先进工艺节点的霸主地位，为客户提供更先进的芯片解决方案。

SF3工艺采用创新的设计和先进的材料，使芯片性能和功耗大幅提升。与上一代工艺相比，SF3工艺的晶体管密度提高了35%，功耗降低了50%。这使得SF3工艺非常适合下一代移动设备、高性能计算和人工智能芯片的生产。

三星晶圆代工厂的SF3工艺试产成功，标志着三星在先进工艺领域的领先地位。三星将继续投资研发，为客户提供更先进的芯片解决方案，巩固其在半导体行业中的领先地位。

SF3节点在单个单元内实现不同晶体管纳米片沟道宽度，提供更强设计灵活度，带来更低功耗与更高性能。此外，优化设计有效增加晶体管密度，大幅提升芯片性能与能效。

SF3工艺：助力芯片高效强劲，驱动科技新时代

SF3工艺的问世，为芯片带来了革命性的突破。它能够生产更高效、更强大的芯片，并推动人工智能、物联网和汽车等多个领域的蓬勃发展。这些先进芯片将赋能更智能的设备、更流畅的网络连接以及更安全的自动驾驶汽车。SF3工艺的到来，宣告了科技新时代的开启。

三星SF3工艺良率提升，可穿戴设备性能再升级

三星计划在未来6个月内将SF3工艺良率提升至60%以上，以支持可穿戴设备性能提升。SF3工艺将率先应用于可穿戴设备处理器，可望搭载于三星Galaxy Watch 7系列。SF3工艺的应用将提升可穿戴设备整体性能，提高用户体验。

三星Exynos 2500手机芯片即将面世，采用先进的SF3工艺制造。这款芯片将由Galaxy S25系列首发搭载，为用户带来更强大的性能和更低的功耗。Exynos 2500将成为三星首款采用SF3工艺的手机芯片，标志着三星在芯片制造工艺上的重大突破。该芯片采用3nm工艺，性能提升20%，功耗降低30%，将为Galaxy S25系列带来更出色的性能体验。

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