ASML新任首席执行官Christophe Fouquet出席SPIE大会，并在会议上发布演讲时，重点介绍了High NA EUV曝光机。然后，Christophe Fouquet也确认，英特尔的第二套High NA EUV曝光机已经组装完成。

Christophe Fouquet表示，High NA EUV曝光机将不太可能像当前标准EUV曝光机那样出现延迟交货的情况，其原因是ASML找到了组装扫描仪子组件的新方法，就是直接在客户工厂安装，无需经历拆卸及再组装的过程，这将大大节省ASML与客户之间的时间和成本，有助于加快High NA EUV曝光机的发货和交货。

在Christophe Fouquet后紧接上台的是英特尔院士兼曝光技术总监Mark Phillips，他表示英特尔已经在波特兰工厂完成了两套的High NA EUV曝光系统的安装。而且，Mark Phillips还公布了一些的数据，说明了相对于标准EUV曝光机所带来的改进，通过High NA EUV曝光机应用出来的改善结果可能要比之前想象中还要多。

Mark Phillips强调，由于已经有了经验，第二套High NA EUV曝光系统的安装速度比第一个还要更快。据称，High NA EUV曝光设备所需的所有基础设施已经到位并开始运行。用于High NA EUV曝光的光罩检测工作已经按计划开始进行。因此，英特尔无需做太多辅助支持工作即可将其投入生产。

另外，Mark Phillips还被问到了关于CAR（化学放大抗蚀剂） 与金属氧化物抗蚀剂的问题。他的说法是CAR目前还够用，但可能在未来某个时候需要金属氧化物光阻剂。英特尔目标是要Intel 14A制程技术能在2026-2027年量产，届时将制程技术进一步进行提升。

(首图来源：英特尔)