7 月 31 日，美光科技股份有限公司宣布其采用第九代（G9）TLC NAND技术的 SSD 产品已开始出货，成为业界首家实现这一里程碑的厂商之一。美光 G9 NAND 技术具备高达 3.6 GB/s 的数据传输速率，提供卓越的数据读写带宽。该项NAND新技术为人工智能（AI）及其他数据密集型应用场景带来出色的性能，适用于个人设备、边缘服务器、企业和云数据中心。

美光 G9 NAND 技术凭借卓越的 NAND 输入/输出（I/O）速率，可满足数据密集型工作负载的高吞吐需求，其数据传输速率比当前 SSD 中的 NAND 技术要快 50%。同时，与市场上现有的同类 NAND 解决方案相比，美光 G9 NAND 的每颗芯片写入带宽和读取带宽分别高出99%和88%。这些优势共同提升了SSD和嵌入式NAND解决方案的性能与能效。

与前一代NAND产品相同，美光G9 NAND采用11.5mm x 13.5mm的紧凑封装，比同类产品节省28%的空间，是卓越的小尺寸、高密度NAND。在更小的尺寸内实现更高的密度，从而最大限度地增加了各种用例的设计选择。

美光 2650 NVMe SSD集成了先进的G9 TLC NAND技术，在PCMark 10 测试中表现优异，在日常计算方面带来一流的用户体验。

美光 2650 NVMe SSD 提供业界领先的可靠性，其动态 SLC 高速缓存功能可显著提升性能，加快写入速率。美光2650 NVMe SSD提供了可与PCIe 4.0媲美的理论性能，连续读取速率高达7000 MB/s。与同类竞品相比，美光2650 NVMe SSD 表现出色，连续读取性能提升高达 70%，连续写入性能提升高达103%，随机读取性能提升高达156%，随机写入性能提升高达 85%。这些惊艳的数据彰显了美光致力于突破技术界限，为客户带来卓越性能的坚定承诺。

美光G9 NAND不仅可用于面向客户端OEM的美光2650 SSD，还可用于客户端组件和英睿达（Crucial）SSD消费类产品。