市场本应该是凭实力进行公平竞争的，全球化发展更应该如此。然而，美方为了自己的利益，却单方面干涉全球半导体产业，尤其是阻挠我们芯片产业向高端发展。

前段时间，美方再次向日、荷等盟友施压，要求他们继续扩大管制范围，不仅是限制光刻机，还想要扩大限制光刻胶等材料。但没有料到，国内光刻胶实现新突破。

关于美方出口管制，我们听说较多的就是限制光刻机，因为光刻机是芯片制造过程中不可缺少的核心设备，光刻机的先进程度就决定着晶圆厂芯片制造的先进程度。

因此，美方在2018年时，就阻挠了我们中芯国际向ASML购买的一台EUV光刻机。

2022年10月修改出口管制规则后，美方对先进半导体设备出口限制范围更大，光刻机方面扩大到限制浸润式DUV，荷兰ASML和日本尼康不得不按要求限制出货。

但就在美方芯片限制不断加码的情况下，我们大陆芯片反而开始加速突破，尤其是华为仅用了3年多时间，就实现了自研麒麟芯片的回归，这让美方感到非常地郁闷。

要知道，想制造高端芯片，目前还离不开高端光刻机等先进设备。然而，经过对麒麟9000S芯片测试，确认为大陆产业生产的7nm制程，那华为又是怎么做到的呢？

于是，美方不仅开始严查设备出口方面的漏洞，还向盟友施压进一步扩大限制范围。

芯片制造不仅离不开芯片制造设备，芯片制造材料同样重要。于是，近日美方在向盟友施压时，不仅要求扩大限制先进设备范围，还向日本提出限制光刻胶等材料。

光刻胶跟光刻机的重要性其实差不多，光刻机用于芯片制造过程中最复杂、最关键的光刻工艺步骤，而这个步骤就需要使用光刻胶才能完成，没有它根本无法光刻。

并且光刻胶还对应着相应型号光刻机，就是什么制程的光刻机需要什么样的光刻胶。

然而，光刻胶基本上被日本企业垄断，全球约90%的光刻胶来自日企。因此，日本曾经喊话， ASML光刻机再厉害，也离不开日本的光刻胶，不然就跟“废铁”一样。

日本之所以在半导体制造设备和材料方面很强，原因就是曾经半导体产业一度超过美方，虽然后来被美方打压没落了，但继续研发设备和材料，在这方面做出优势。

如今，台积电积极去日本投资建晶圆厂，其中原因就有日本在设备和材料方面优势。

对于半导体制造设备和材料，其实我们国内企业也早就在研发，尤其是对光刻胶这样的核心材料更加重视，像南大光电、上海新阳、晶瑞电子等都实现了一定突破。

为了进行验证，他们不惜重金购买二手光刻机，但日本光刻胶技术壁垒却很难突破。

近日，好消息传来，国内光刻胶技术实现新突破。九峰山实验室、华中科技大学组成联合研究团队，突破“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术。

芯片制造进入10nm制程以下后，如何产生分辨率高且截面形貌优良、线边缘粗糙度低的光刻图形，就成为光刻制造的共性难题，尤其是我们想要突破高端光刻胶。

如今，这个突破为解决共性难题提供了明确的方向，同时也为高端EUV光刻胶开发奠定了坚实基础。重点是，不仅具有自主知识产权，还在产线完成了初步工艺验证。

也就是说，这已经不只是技术突破，已经完成从技术开发到成果转化的全链条打通。

接下来，就是进入产线应用和完善提高，这将有助于我们绕开日本技术封锁，彻底实现国产高端光刻胶的突围。届时，我们就再也不担心国外限制光刻胶核心材料了。

对此，有外媒直接表示，中国芯速度太快了，美方出口管制越严格，大陆的芯片突围速度就越快，不仅是半导体制造设备国产化速度加快，连制造材料也不断突围了。

因此，在美方严格封锁下，只要我们继续加强自主研发，就会尽快解决芯片卡脖子！