金融界2024年9月18日消息，天眼查知识产权信息显示，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“一种双向低容NPN特性瞬态电压抑制器件及封装结构“，公开号CN202410691736.1，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，本申请实施例提供了一种双向低容NPN特性瞬态电压抑制器件，本申请在衬底上生长外延层，然后再在外延层上注入阱区，最后再在阱区中形成第一注入区和第二注入区，再远离第一注入区一侧设置第一深沟槽和在靠近第二注入区一侧设置第二深沟槽，所述第一深沟槽和第二深沟槽的底部均延申至所述衬底中，所述第一深沟槽和第二深沟槽中均填充有绝缘材料；最终形成纵向由上往下的SCR结构和从下往上的NPN结构，本申请提供的瞬态电压抑制器件可以同时满足电容小，钳位电压低但不存在闩锁，击穿电压和钳位电压好控制的要求。
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