金融界2024年11月13日消息,国家知识产权局信息显示,武汉新芯集成电路股份有限公司取得一项名为“背照式图像传感器及其制造方法”的专利,授权公告号CN114267691B,申请日期为2021年12月。
本文源自:金融界
金融界2024年11月13日消息,国家知识产权局信息显示,武汉新芯集成电路股份有限公司取得一项名为“背照式图像传感器及其制造方法”的专利,授权公告号CN114267691B,申请日期为2021年12月。
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