金融界2024年12月5日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“图像传感器像素结构及其形成方法”的专利，公开号CN119069489A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，一种图像传感器像素结构及其形成方法，其中结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底内的感光层；位于半导体衬底内且位于感光层上的隔离层；位于半导体衬底内的第一栅极结构，第一栅极结构延伸至感光层内；位于半导体衬底内且位于隔离层上的存储层；位于半导体衬底内的第一隔离结构。感光层、隔离层和存储层位于半导体衬底内的不同深度，因此在减小像素结构尺寸的同时，能够保证感光层的面积占比，以此保证器件结构的性能。通过第一栅极结构能够实现感光层的电子垂直传输，提高电荷传输效率。同时第一栅极结构可直接与感光层接触，使得第一隔离结构能够采用深沟绝缘材料隔离形式形成，有效解决了相邻像素结构之间的感光层之间发生电子串扰问题。
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