金融界2025年1月16日消息，国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“改进的凸块下金属化结构和相关联的形成方法”的专利，公开号CN119297164A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本公开涉及改进的凸块下金属化部结构和相关联的形成方法。描述了用于半导体制造的方法、系统和器件。一种这样的方法包括形成包含第一材料的第一层。第一层的顶表面沿着第一方向和第二方向延伸。在一些情况下，该方法包括在至少第一层的顶表面上形成包含第二材料的第二层，以及在第二层中形成空隙。形成空隙可以暴露第一层的顶表面的一部分。在些情况下该方法可以包括在第二层的顶表面上和第一层的顶表面的暴露部分上形成一个或多个层。该方法还可以包括执行材料去除操作，该材料去除操作将形成在第二层的顶表面上的所述一个或多个层的部分抬离所述顶表面。
本文源自：金融界
