这一天终究来了，比预想中的还要快！ 美国突然宣布将在120天后撤销英特尔(大连)、三星(西安)、SK海力士(无锡)的VEU授权，简单来说就是这三家半导体公司想购买美国芯片生产设备在我国生产芯片，需要跟美国进行申请。明眼人都能看出来，老美又开始拉筹码了。 VEU机制原本是美国为可信赖的低风险客户开辟的“快速通道”。获得这个资格的企业进口受管制的半导体设备和技术可以省去大量繁琐流程。如今美国撤销授权，无疑给三星、SK海力士和英特尔在大陆的生产基地套上了紧箍咒。虽然美国声称会批准维持现有工厂运转的许可，但明确表示不会允许它们在中国扩大产能或升级先进技术。这等于是要给这些工厂的未来发展设定天花板。 美国这步棋看似针对三家跨国企业，实则矛头直指中国半导体产业，尤其是存储芯片领域。三星西安工厂是全球最大的NAND闪存生产基地之一，月产能高达25万片晶圆，占全球NAND闪存产能的15%。SK海力士无锡工厂则是其重要的DRAM生产基地，产量约占该公司DRAM芯片的一半，全球产量的15%。这些工厂的稳定生产对全球半导体供应链至关重要。美国此举意在通过抬高韩企在华运营的“制度成本”，倒逼其将新增投资从中国转向美国。这与美国推动的“重塑半导体供应链”战略一脉相承。 短期来看，这项政策可能会给全球存储芯片市场带来波动。如果这些工厂的供应链受阻，全球手机、电脑、服务器等产品的存储芯片供应可能会紧张，甚至可能重现2021年“缺芯潮”时的价格暴涨。有专家分析，若停产可能直接导致全球存储芯片价格上涨30%以上。 中国商务部发言人迅速做出回应，明确指出美方此举系出于一己之私，将出口管制工具化，将对全球半导体产业链供应链稳定产生重要不利影响，中方对此表示坚决反对。发言人强调，中方将采取必要措施，坚决维护企业正当权益。 长远来看，美国这种打压手段恐怕很难阻止中国半导体产业的发展，甚至可能再次加速中国技术的自主替代进程。存储国产化的窗口机遇再次打开。国产存储厂商如长江存储、长鑫存储将获得更明确的市场缺口和发展机遇。长江存储的128层3D NAND闪存已通过华为、小米等客户验证，良品率突破90%。长鑫存储的19nm DRAM芯片也已实现量产。 在设备和材料领域，国产替代的紧迫性也随之上升。中微公司、北方华创、拓荆科技等本土企业正迎来更多合作与订单。据报道，长江存储正深化与本土工具制造商的合作，加速替换外国设备。据统计，2024年中国半导体设备国产化率已从2018年的5%提升至28%，预计2025年将突破35%。 美国的出口管制政策也让其本国企业承受了代价。应用材料、泛林集团和科磊等美国半导体设备巨头每年从中国市场获得数十亿美元的订单。这些订单现在面临风险。联邦储备银行纽约分行的一份报告估计，出口管制使受影响的美国供应商平均损失了8.57亿美元的市场价值，所有受影响供应商的总损失高达1300亿美元。 韩国政府对此事也表达了关切。韩国产业通商资源部表示已向美国商务部解释了韩国半导体企业在中国的稳定运营对全球半导体供应链稳定的重要性，并将继续与美方讨论，以尽量减少对韩国企业的影响。 美国撤销VEU授权的决定，是其试图遏制中国科技发展的又一举措。它可能会在短期内制造一些困难，但很可能再次强化中国自主发展半导体产业的决心和能力。全球半导体产业正站在新的十字路口，是走向分裂对抗还是协同合作，将取决于各方的智慧和选择。但有一点是肯定的：中国半导体产业，正在一次又一次的“卡脖子”中，变得更加强韧和自主。
