闪德资讯获悉，韩媒ZDNet Korea报道，三星电子从中国NAND制造商YMTC那里，租借了从V10（10代）开始采用的先进封装技术“混合键合”的专利。
这解决了三星电子在下一代NAND开发中的“核心难题”，但未来专利引入后，如何确保产率稳定性等恢复竞争力将成为新的挑战。
YMTC是首家将混合键合技术应用于3D NAND的企业，因此在相关技术上建立了坚实的专利体系。
三星电子选择通过友好协商而非强行规避专利来消除未来风险的策略。
三星电子最近与YMTC签订了3D NAND用混合键合专利权的许可协议。
V10是三星电子计划在今年下半年开始量产的下一代NAND。
随着NAND代际的增加，“单元（Cell；存储数据的单位）”被垂直堆叠得越来越高，V10预计将达到420至430层。
三星电子的V10 NAND引入了多种新技术，其中W2W（晶圆对晶圆）混合键合尤为重要。W2W混合键合是一种直接将晶圆与晶圆粘合的封装技术。
混合键合省略了传统芯片连接所需的凸点（Bump），缩短了电气路径，从而提高了性能和散热特性。
特别是W2W通过将整个晶圆而不是芯片粘合在一起，有利于提高生产效率。
传统上，三星电子采用在单个晶圆上放置驱动单元的电路“外围（Peripheral）”，然后在其上堆叠单元的方式，称为COP（单元在外围）。
然而，当NAND达到400层以上时，施加在底部外围上的压力会增加，导致NAND的可靠性下降。
因此，三星电子决定在V10 NAND中采用将单元和外围分别在不同晶圆上制造，然后合成的混合键合技术。
然而，这些计划受到现有海外公司持有的专利的重大影响。
3D NAND用混合键合技术大约四年前由中国最大的NAND制造商YMTC率先应用，并被命名为“Xtacking”。
YMTC在业务初期通过许可协议从美国科技公司Xperi获得了与混合键合相关的原始专利。
此后，它在NAND用接合方面建立了相当多的自有专利。
对此，三星电子与YMTC签订了与混合键合专利相关的许可协议。
这被认为是为了通过友好协商而不是规避专利来减少未来可能的风险，并加快技术开发速度的策略。
然而，是否与Xperi等其他公司也进行了专利讨论尚未得到确认。
