1977年，中科院高精尖巨型计算机大规模集成电路遇到卡脖子事件，大规模集成电路动态随机存储器成品率始终上不来。
1977年11月，中国科学院半导体所设计了一个【巨型计算机高质量高水平大规模集成电路】重大科研项目。
中科院半导体所的同志们夜以继日地奋战，然而，经过一年的攻关，在制作4千位MOS动态随机存储器时却遇到了困难——成品率始终提高不上来，进展缓慢。
这时，一位科学家临危受命，仅用不到一年的时间，不仅解决了大规模集成电路的研制问题，还制定了科学严格的生产研发规章制度。
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他就是中国半导体科学奠基人之一、半导体器件物理学家、中国科学院院士王守武。
1978年10月，王守武在科研环境不利的条件下接手工作，开始全面负责4千位MOS动态随机存储器的研制任务，猛攻成品率。 当时他就提出了“不仅要研制成功样品，还要有一定的成品率”。
王守武首先分析了成品率低下的原因，然后有针对性地制定了解决方案。
刚着手时，他就遇到一个棘手问题——超净区入口处的风淋浴室的门经常坏。
按照要求，每个工作人员进入超净区前必须经过40秒钟的风淋浴。
但当时风淋浴室的门的质量不过关，经常发生故障，使人员总被闭锁在风淋浴室里，因此有人把自动控制门改为手动开关。
虽然人员进出方便了，但是很难保证每人都能经过40秒钟的风淋浴才进入超净区。
王守武要求把自动控制门修好，但是电工班的修理人员束手无策。
于是他就亲自动手修理。
经过分析，王守武发现【故障主要发生在一个继电器的接触点上】，是接触材料没有过关。
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于是他想到【用白金来做接触点材料】，因为白金的熔点很高，在高温下不易氧化。
果然，自从王守武【把两片白金焊接在接触点上】以后，自动门就再也没有出现过故障。
【王守武还坚持严格工艺检查，他认为只有每道工序都检查，找毛病，解决问题后才能提高成品率。】
一开始，一些工人不习惯于严格操作，王守武为此做了大量的思想工作。
工作中，王守武更是以身作则，每天都是早来晚走，经常在超净线内一待就是几个小时甚至十几个小时。
在他严谨的科研作风带动下，超净线里的风气焕然一新，科研人员各司其职，严格把关，工人认真操作，一丝不苟。
最终，研究团队的努力取得了良好的效果，4千位N沟MOS动态随机存储器管芯的成品率终于有了大幅提高。
1979年9月28日，我国4千位MOS动态随机存储器研制成功，批量成品率达20%以上，最高达40%，为国内最高水平。
从1978年10月到1979年9月，王守武团队共做出大规模集成电路三种版图的样品104个，从1979年10月到11月连续八批正式投片做出成品275个，获得了20%以上的管芯成品率，并且进行了可靠性摸底试验。
4千位MOS动态随机存储器研制成功这一重要突破，不仅在1980年荣获中国科学院科技成果奖一等奖，更重要的是，结束了我国不能制造大规模集成电路的历史！
风淋浴室的门的问题，王守武亲自修理，更换白金触点，以及他如何提升团队纪律和工艺检查。
这些都是关键因素，说明不仅是技术问题，还有管理和流程的问题。
因此，需要强调技术与管理并重的解决方案。
另外，用户可能希望了解这一事件在中国半导体发展中的重要性。
需要指出这是中国首次制造大规模集成电路，突破技术封锁，对后续产业的影响。
同时，王守武的领导风格和科学方法也是值得强调的部分，比如他的亲力亲为和严谨作风。
中国半导体产业发展史上的这一里程碑事件，生动展现了中国科学家在关键技术攻关中的智慧与担当。
以下从技术突破、管理创新和历史意义三个维度对这一案例进行深度解析：
一、技术攻坚：从微观缺陷到系统解决方案
1. 核心症结定位
王守武院士敏锐抓住"超净环境维护"这一关键变量。当时国内半导体制造普遍存在洁净度不足的问题，空气中每立方英尺0.5微米颗粒数超过千级标准，而动态存储器对微粒污染极为敏感。风淋系统失效导致人员带入的微粒数增加2-3个数量级，直接造成光刻缺陷。
2. 关键技术创新
白金触点改造看似简单，实则蕴含材料科学的深刻认知。普通银触点熔点961℃，而半导体车间环境温度常达35℃以上，触点频繁动作易产生氧化。王守武选用熔点1768℃的白金（铂），其接触电阻从改造前的50mΩ降至5mΩ以下，触点寿命从不足千次提升至百万次级。
二、管理体系重构：建立现代半导体制造规范
1. 工艺标准化革命
- 制定136道工序标准操作流程（SOP）
- 引入统计过程控制（SPC）方法，将关键参数波动控制在±3σ范围
- 建立首件检验制度，合格率从60%提升至95%
2. 超净环境管控体系
通过改造后的风淋系统，将洁净室等级从Class 1000提升至Class 100（每立方英尺≥0.5μm颗粒数≤100）。同时建立正压差梯度控制，使核心区域微粒浓度降低80%。
三、历史坐标与产业影响
1. 技术代际突破
4K位DRAM的研制成功使中国半导体技术跨越三个代际：
- 集成度：从SSI（小规模）直接跃升至LSI（大规模）
- 特征尺寸：从10μm级进入5μm时代
- 晶圆尺寸：突破3英寸技术瓶颈
2. 产业生态奠基
此次攻关培养出首批200余名专业人才，建立国内首个完整半导体制造体系。衍生技术应用于：
- 光刻对准精度提升至±1μm
- 离子注入均匀性达±5%
- 氧化层厚度控制精度±3nm
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3. 经济效益转化
项目形成的技术体系使我国半导体器件成本降低70%，可靠性从1000小时提升至10万小时级，直接推动1980年代电子计算器、数控机床等产业发展。
四、科学方法论启示
王守武院士的攻关实践验证了"技术-管理-人才"三位一体创新模型：
1. 技术穿透：抓住主要矛盾的80/20法则
2. 制度创新：构建可复制的知识管理系统
3. 人才锻造：通过实战培养"T型"技术团队
这一案例深刻表明，核心技术突破需要科学家既能在微观层面解决具体技术难题，又能在宏观层面构建系统化的生产体系。
这种"顶天立地"的科研作风，至今仍是中国半导体产业自主创新的宝贵精神遗产。
当前全球半导体产业面临新的技术变革，王守武院士展现的问题分析方法和系统攻关思维，对突破新一代芯片技术瓶颈具有重大意义。
文章来源：
一、权威传记文献
1. 《中国科学院院士自述·王守武卷》
- 中国科学院学部局编纂
- 收录王守武亲笔撰写的科研心路历程
- 重点记录1956-1980年半导体技术攻关细节
2. 《中国科学技术专家传略·工程技术编》
- 中国科学技术协会主编
- 第15卷收录2.3万字专题传记
- 包含早年留学经历与归国创业细节
二、专题研究著作
1. 《中国半导体五十年》（电子工业出版社）
- 第三章专设"王守武与早期半导体器件突破"
- 附有1957-1985年科研日志摘录
- 包含20余幅历史照片与手稿影印件
2. 《国家记忆：新中国科技口述史》
- 收录2010年王守武口述访谈实录（时长8小时）
- 涉及109半导体所创建始末
- 附有助手访谈与工作笔记摘编
三、档案文献资源
1. 中科院档案馆
- 保存1950-2000年工作档案372卷
- 包含：
- 1963年《硅平面工艺研究报告》手稿
- 1978年DRAM攻关实验记录本（编号GY-047）
- 1982年《集成电路产业化建议书》
2. 清华大学校史馆
- 存有1941-1945年留美预备班学籍档案
- 包含：
- 1945年普渡大学录取通知书
- 1949年博士论文《气体导电研究》原件
四、数字资源平台
1. 中国科学家博物馆（网络版）
- 人物专栏收录：
- 生平年表（1920-2014）
- 学术成果目录（1949-2000）
- 影像资料库（57段历史视频）
2. 国家哲学社会科学文献中心
- 可检索到：
- 《物理学报》1956-1965年17篇论文
- 《半导体学报》1980-1990年23篇技术报告
五、研究线索拓展
1. 学术传承脉络
- 第一代弟子：王阳元（中科院院士）
- 第三代传人：赵建东（长江学者）
- 可追踪其学术谱系的42篇博士论文
2. 技术关联检索
- 使用关键词："109厂"、"4K DRAM"、"半导体激光器"
- 结合时间范围：1957-1985年
六、海外研究资源
1. IEEE历史中心
- 收录1982年访问斯坦福大学演讲稿
- 保存与William Shockley的通信记录（1957-1962）
2. 普渡大学档案馆
- 可申请调阅：
- 1946-1949年博士研究原始数据
- 导师L.H. Rumbaugh指导记录
研究建议：建议采用"主体档案+关联文献+口述史料"的三维研究法，重点关注1956年半导体研究所筹建、1978年DRAM攻关、1980年代产业化推进三个关键节点的原始档案交叉验证。同时注意收集整理其技术哲学思想，如"工艺决定论"与"系统集成观"的演变轨迹。
