据韩媒报道，SK海力士目前正在与供应链合作伙伴合作，开发400层及以上NAND闪存所需要的工艺技术和设备，希望在2025年底前开始批量生产400层NAND，并希望在2026年上半年过渡到全面生产。

在去年的闪存峰会（FMS 2023）上，SK海力士首次展示了全球首款321层NAND闪存。在马上召开的FMS 2024上，SK海力士将展示下一代AI存储器产品样品，例如预计于第三季度量产的12层HBM3E和计划于明年上半年开始出货的321层NAND。

通过高层数，NAND芯片可以在不增加尺寸的情况下存储更多数据。这不仅可以为紧凑型系统节省空间并增加存储容量，还可以带来更实惠的存储解决方案。不过，SK海力士并不是这场游戏中唯一的玩家。

美光最近推出了一款具有276层的密集NAND。三星已开始量产具有290层的三级单元第9代垂直NAND，并提出到2030年生产超过1000层的NAND。日本公司铠侠目前的3D NAND层数达到218层，并计划在2027年就达到1000层，超过三星。

SK海力士实现400层的方法是使用了所谓的4D NAND闪存、混合键合技术，也就是W2W（wafer-to-wafer）结构，将两块晶圆键合在一起。这就涉及到了连接不同晶圆的各种材料和技术，包括抛光、蚀刻、沉淀、引线等各个阶段。因此，该公司计划实施混合键合方法，即在单独的晶圆上制造存储单元和外围电路。然后将晶圆键合在一起以降低损坏风险。

SK海力士引入混合键合预计将为NAND制造工艺带来重大变化。半导体封装行业相关人士表示，“由于混合键合本身就是先进封装领域，因此很多封装企业将进入SK海力士NAND供应链。”据了解，三星电子也正在考虑将混合键合应用于下一代NAND。