近年来，国内涌现出非常多优秀的科技公司，研制的智能电子产品远销海内外，深受消费者的喜爱，也一举让我国成为世界上最大的芯片消耗国。然而，国产芯片的自给率非常低，不足30％，每年都要从海外进口近万亿元的芯片，超越石油等其他进口商品。华为的芯片危机，让我们看清了现实，如果不能实现芯片的自主，国内企业的发展将会永远受制于人。

对芯片有一定了解的朋友都知道，芯片的制造分为设计、加工、封测三大部分，而加工环节是最难的部分，也是我国芯片行业的短板，亟待突破。

华为芯片制造环节被切断后，任正非在接受媒体采访时表示，尽管华为海思能够设计出世界顶级的芯片，但我国基础工业的水平与发达国家存在着一定的差距，国内企业也无法造出来。

据公开资料显示，国内制造芯片巨头中芯国际早在2019年就实现了14nm芯片的量产，良品率已经超越了台积电，且今年年初国内不少业内人士爆料，中芯国际今年4月份将实现7nm芯片的量产，尽管至今仍未传出量产7nm芯片的消息，但也证明我国芯片制造技术也不是很落后，处于世界中上游水平。

中芯国际之所以现在无法实现7nm芯片的量产，还是因为高端光刻机的缺失。早在2018年，中芯国际就与ASML公司签订了EUV光刻机采购协议，足额缴纳了1.2亿美元的货款，并约定ASML公司在2019年完成交付，2020年完成安装、调试，但由于老美的阻挠，ASML公司至今仍未履行合约。

其实，早在几十年前，以老美为首的西方国家为了限制我国科技的崛起，签订了《瓦森堡协定》，禁止向我国出口高尖端技术，ASML公司拒不履行合同，也是受限于该协议。

俗话说：“爹有，娘有，不如自己有”。我们要想在国际舞台上拥有话语权，就必须发展光刻机，实现芯片的国产化，打破西方的“芯”垄断！

光刻机是当今世界上最复杂的设备之一，是全人类智慧的结晶，精密的程度令人发指，打一个比方，它用极紫外光在硅晶圆上刻画集成线路图，就如同在月球上向地球上投篮球，而且还是投的三分球。

中国院士吴汉明在不久前曾表示，凭借一个国家的力量，很难制造出EUV光刻机，主要还是因为制造EUV光刻机的十万元器件来自35个国家的5000多家企业，每一件都代表着业内的最高水平。

据公开资料显示，老美在2020年10月份修改了《出口管理条例》，新增混合材料的制造、数控工具、光刻软件以及用于5nm生产的晶圆核心技术等六种核心技术，禁止向我国企业出口。

所以，我们要想研制出国产光刻机，就必须走独立自主的道路，实现技术的100％。所幸的是，中国科学家并没有让人失望，已经制造出了国产化非常高的光刻机。

前不久，中国激光巨头大族激光明确对外表示，自主研发的国产光刻机已经实现小批量销售，国产核心元器件的占比高达90%以上！

据公开资料显示，大族激光制造的光刻机分辨率为3-5μm，主要用于5G通信基站分立器件、LED、Mini/Micro-LED的生产和制造。

除此之外，大族激光研制的芯片封测核心设备，如晶圆开槽设备、切割设备等设备，核心元器件的国产化也达到了90％以上！

前不久，国内唯一光刻机制造企业上海微电子正式对外宣布，28nm光刻机已经下线，将于年底交付给下游厂商。值得一提的是，上海微电子制造的28nm光刻机经过技术改进后，可以生产14nm芯片。

虽然国产光刻机与ASML公司制造的光刻机存在着一定的差距，但笔者坚信，随着中国科学家的努力，在未来的几年内，我国必定能够制造出EUV光刻机，彻底打破老美的芯片封锁。