近年来，外媒经常对“中国芯”评头论足：中国芯片非常落后。虽然这句话刺痛了我们脆弱的玻璃心，但不可否认的是，“中国芯”的真实水平，与发达国家存在着一定的技术差距，华为因射频芯片被卡脖子，用5G芯片发布4G手机就是最好的证明。

当前主流的芯片是硅基芯片，制造流程非常地繁杂，首先要将一粒粒沙子进行溶解，然后提取出纯度高达99.999％的硅晶圆，在经过集成电路设计、光刻、蚀刻、等离子注入、封测后，才能被应用在电子产品中。

我国拥有顶级的芯片设计企业，且芯片光刻、蚀刻、封测技术也达到了世界顶级水准，但由于光刻机和化学材料被卡了脖子，以至于我们无法实现高端芯片的量产。

在经济全球化的今天，我们为何不进口高端光刻机和化学材料呢？难道是我们给的钱不够？主要是因为我们有钱也买不到！

早几十年前，西方国家为了遏制我国科技的发展，就签订了《瓦森堡协定》，明确禁止向我国出口高尖端技术和设备。这是造成无法实现高端芯片量产的原因。

老美持续不断对我国企业的打压，让我们彻底清醒，要想赢得被人的尊重，引领世界科技的发展，促进人类文明的进步，我们就必须实现技术独立，尤其是要实现芯片的国产化！

余承东曾表示，我国半导体行业之所以会出现轻重资产行业发展的失衡，主要是因为国内企业太过于追逐市场效益，不想也不愿涉足重资产行业，以至于国内企业无法制造出高端光刻机等设备和制造芯片所需的化学材料。

所幸的是，国家非常清楚这一点，在去年就规划了“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”项目，且已经取得了重大突破！

近日，中国专家组就南大光电承担的先进光刻胶产品开发与产业化”项目对外公布验收后结果：超标准完成任务！

中国专家组表示，南大光电已经掌握了成熟的可用于制造7nm芯片的ArF干式和浸没式系列光刻胶产品的原材料制备、配胶、分析检测、应用验证等关键技术，每年能够实现5吨干式和20吨浸没式ArF光刻胶的量产，是我国半导体行业化学材料领域发展的一个里程碑。

想必对芯片制造有一定了解的朋友都知道，光刻胶对芯片的制造非常重要，是对硅晶圆进行光刻时必不可少的化学材料，光刻胶的好坏，直接决定了芯片的良品率和性能。

如今，南大光电研制出可用于制造7nm芯片的ArF光刻胶，打破了日企的垄断，填补了国内技术空白，极大地推动了国产芯片的发展。

老美之所以对华为进行穷追猛打，不仅仅是因为华为掌握了先进的5G技术，也因为华为的攻“芯”，让老美痛心，如果不加以制止的话，高通等美半导体企业必将会丧失行业话语权，进而进一步危及老美的“科技霸权”。

所幸的是，任正非在老美举全国之力的打压下，不但没有放弃芯片的研发，反而增加了投入，如建立晶圆厂等。所幸的是，任正非的坚持没有白费，国内半导体产业链接连取得重大突破，华为海思设计的芯片迟早都能量产！