2月24日，韩国媒体《国民日报》发表文章称，尽管受到美国的制裁，中国的存储芯片技术仍在迅猛发展。特别是在NAND闪存领域，与韩国企业的差距明显缩小。堆叠竞争始于2013年三星电子首次推出24层NAND，目前已达到286层。然而，近日，中国企业长江存储发布了270层产品，震惊了业界。专业分析机构TechInsights评估称，该公司和另一家中国公司长鑫存储已获得世界一流的技术能力。
长江存储旗下致态正在生产使用第五代3D NAND用于消费级SSD的新产品。该产品因采用混合键合方法而受到关注，表现出与现有方法不同的特点。与此同时，长鑫存储在DDR5 DRAM中脱颖而出，并以16纳米工艺成功量产。这种技术进步并不是简单的努力就能实现的。专家将其解释为注重技术开发而非经济可行性的战略、快速的追赶速度以及规避制裁的创造性方法。
中国存储半导体的低价攻势正在内存市场引起巨大反响。近期，DRAM价格较过去大幅下降，NAND也需要减产。但目前评估认为韩国和美国公司在先进工艺方面仍然领先。SK海力士与三星电子均表示，将通过品质和性能的差异化，保持与后来者的差距。
