曝长鑫存储产能激增68%，直逼美光，接近SK海力士一半

近日，据韩国媒体报道，中国存储龙头长鑫存储科技（CXMT）今年的 DRAM 产能将大幅超出最初的预测。

分析人士认为，若此趋势持续，长鑫存储的DRAM产量预计将紧随美国美光科技，并有望达到SK海力士的一半。

此外，还有市场预测称，1-2年内DRAM市场，将从三星电子、SK海力士、美光科技的三巨头格局转变为四巨头格局。

长鑫存储今年预计增产68%，在日本招聘人才

据市场研究公司Omdia 最新统计数据显示，长鑫存储今年预计将把DRAM产能提升至273万片（以晶圆计），较去年的162万片，增长68%。

此前市场曾预测长鑫存储今年的DRAM产能将增加20%，但预计扩张速度将是这一数字的三倍以上。此外，预计长鑫存储将增加 DDR5 以及传统 DRAM、DDR4 的比例。

截至去年第一季度，长鑫存储的月平均DRAM产量仅为10万片左右。这是 SK海力士规模的四分之一，大部分都是传统（主流）产品DDR4 DRAM。到了今年第一季度，产量又较上年翻了一番，达到平均每月约20万片，预计明年将增至30万片左右。

据悉，长鑫存储去年大幅提高了 DDR4 产量并降低了价格，已成为 DRAM 市场上一股不容小觑的力量。三星电子、SK海力士、美光公司近15年来形成的三足鼎立格局开始出现裂痕。三星电子、SK海力士去年也在财报电话会议上提到，中国DRAM的低价攻势正在影响他们的业绩。

据前瞻的数据显示，在短短5年时间里，长鑫存储在DRAM存储器市场中的份额从2020年的接近零，上升至去年的5%。另一家市场研究公司 TrendForce 预测，到今年年底，长鑫存储的 DRAM 市场份额可能增至12%。

研究公司TechInsights 副总裁Dan Hutchison在接受英国《金融时报》采访时也表示，“ 长鑫存储的市场份额仍然很低，但其快速增长正在产生‘滚雪球效应’”，并补充说，“这就是韩国在存储器领域取代日本的方式。”

同时，作为中国最大的DRAM生产商，长鑫存储还在努力打入日益增长的高带宽内存（HBM）市场。

4月23日，来自《南华早报》最新消息，周三长鑫存储日本分公司罕见地以中、英、日三种语言发布了招聘信息，该公司透露，其日本子公司成立于2020 年，在横滨和福冈设有办事处，正在寻找将于 2026 年从中国境外大学毕业的集成电路设计人才。据悉，这也是长鑫存储首次披露其在日本的业务信息。

除此之外，在4月12日，长鑫存储还在北京成立了长鑫集电科学技术协会。

据其透露，长鑫集电科协成立后，公司将充分借助北京作为首都的区位、人才、资源优势，积极搭建交流合作平台，公司将推出针对不同职业阶段科研技术人员的培养项目，包括面向应届生的“NCG计划”、面向技术人员的“工匠学院”等差异化人才培育项目。目前，长鑫存储科研和技术人才占比超过80%，90后员工占比达78%。

长鑫存储，据悉已开始量产先进的DDR5

长鑫存储成立于2016年，总部位于安徽合肥，也是这一年合肥DRAM基地一期项目诞生。第二年2017年3月，该项目开工建设。次年2018年1月，建设完成，并搬入设备；7月，开始试产8GbDDR4工程样品。2019年11月，长鑫存储获得首笔订单，产品销售也由此启动。2020年，长鑫又陆续启动了北京DRAM项目一期、二期，并于2022年开始试产线。

据悉，经过陆续在北京和合肥的产能扩张，长鑫存储不仅成功量产传统DRAM，还成功量产了三星电子和SK海力士的旗舰产品DDR5 DRAM，展现出强劲的进展。

去年12月市场消息称，长鑫存储 (CXMT) 开始量产DDR5 。到了今年3月，韩国《朝鲜日报》又报道称，长鑫存储的DDR5产品已正式开始向中国市场供货，并有多家DRAM模组制造商开始销售搭载其DDR5芯片的模组产品。

报道还称，还是采用了在内存领域被认为是尖端的16nm工艺，其位密度（每单位面积的存储单位，这是衡量 DRAM 性能的关键指标）高于三星电子和 SK 海力士。

此外，包括TechInsights在内的一些市场研究公司报告称，尽管评估显示中国在技术上落后韩国约3至4年，但长鑫存储的DDR5性能与韩国产品并无显著差异。

2023年11月28日，长鑫存储还曾通过官网宣布推出LPDDR5系列DRAM产品，正式进军移动终端市场，并成功完成了与小米、传音等国产手机品牌机型的上机验证。

韩厂方面，除了受中国厂商竞争的影响之外，国际局势变化也对其产生了影响。美国政府所谓“对等关税”、以及越来越严格的芯片限制措施，也导致这些企业越来越不安，不敢轻易扩产。

中国工厂是三星和SK海力士主要的存储器生产基地，三星电子在中国西安设有NAND工厂，在苏州设有封装（后处理）工序。

尤其是SK海力士，在无锡和大连分别设有DRAM和NAND工厂，其中，无锡厂是其存储芯片生产的主力之一，产量约占该公司DRAM芯片的一半和全球产量的15%。

因此，一旦美国修改《芯片法》，他们将受到直接影响。