近两年来，由于众所周知的原因，芯片成为了14亿国人的一块“芯”病，实现高端芯片的国产化，是每一个中国人所期待的。

然而，对于“中国芯”的发展，世界芯片代工巨头台积电创始人张忠谋曾表示：大陆举全国之力也造不出高端芯片！

张忠谋的观点一经传出，瞬间引起网友的热议：张忠谋说的是事实？还是别有用心！

我国拥有世界顶级的芯片设计公司，掌握着非常成熟、先进的芯片制程工艺，如华为海思和中芯国际，尤其是华为海思设计的麒麟9000芯片，综合性能远超骁龙888和A14仿生芯片，但为何张忠谋会说我国无法制造高端芯片呢？

对于这个问题，任正非给出了一个非常标准的答案：我国企业之所以无法独自制造出高端芯片，主要还是因为光刻机和化学材料被卡了脖子！

芯片，被誉为“工业粮食”，尽管只有指甲盖大小，但是制造起来非常的不容易，首先就是要将一粒粒沙子进行溶解，提出去纯度高达99.999％的硅晶圆，然后还要进行集成电路设计、光刻、蚀刻、等离子注入、封测等复杂的工序后，才能被应用在各种各样的电子产品上。

在制造芯片的所有程序中，光刻环节是我们的短板，原因就是我国企业缺少一种被誉为“工业皇冠上明珠”的设备--EUV光刻机。

看到这里，有人会说，建国初期，我国在那样艰难的条件下，都能制造出原子弹，现在怎么可能制造不出EUV光刻机呢？真的比造原子弹还难？事实也却是如此！

ASML公司EUV光刻机总工程师曾表示，即便是中国得到了EUV光刻机设计图纸，十年之内，也造不出来。

除此之外，中国院士吴汉明也曾表示，EUV光刻机是全球人类智慧的结晶，凭借一个国家的力量，很难造出EUV光刻机。

那么，EUV光刻机究竟有多难造呢？吴汉明院士表示，ASML公司制造的EUV光刻机所需的元器件来自世界上35个国家，5000多家企业，而且每一件都代表着业内的最高水准，如瑞典的轴承、法国的阀件、日本的光学器材、德国的物镜、美国的光源等！

在ASML公司制造EUV光刻机所使用的核心元器件中，唯独没有使用我国企业制造的元器件，原因很简单，我们的技术不行，制造的元器件达不到它的要求。

我国光刻技术与西方发达国家存在差距，基础工业的整体水平也较为落后，但仅仅因为这些我们就不造光刻机了？答案是肯定的，不可能，我们不但已经开始研发国产EUV光刻机，并且取得了多项核心技术的突破！

前不久，央视正式报道，由中科院高能物理研究所承建的国内首台高能同步辐射光源设备已进入安装阶段，完成度已超过70％，主体建筑部分将于2022年交付使用。

据业内人士透露，国内这台高能同步辐射光源设备能够提供高亮度的硬X射线，一旦正式投入使用，将会极大地促进我国在光源领域的发展，尤其是EUV光刻机所使用的光源。

俗话说，好事成双，在国内首台高能同步辐射光源设备进入正式安装阶段之际，中科科美出来一条好消息，自研的直线式劳埃透镜镀膜装置及纳米聚焦镜镀膜装置也已交付使用！

直线式劳埃透镜镀膜装置及纳米聚焦镜镀膜装置能够实现各类高能物理装置，尤其是极大一部分物理镜头对膜层制造工艺的需求，当然了，也可以用于EUV光刻机物镜的制造。

除此之外，在华大学机械工程系朱煜教授带领下，华卓精科也于去年成功制造突破双工件台技术，成为国内首家可自主研发并实现商业化生产的光刻机双工件台供应商，并已交付给上海微电子使用，打破了日本尼康株式会社的社长狂妄言论：中国科学家虽然可以拿下复杂的光刻机光学系统，但绝对拿不下更加复杂的工作台！

光刻机是由三大核心子系统件组成：工件台、投影物镜和光源。如今，我们一一取得技术突破。中国科学家用事实证明：没有中国人办不到的事！

芯片非常难造，我们承认，但用王传福的话说：“芯片是人造的，不是神造的！”只要我们坚持走独立自主的研发道路，提升国内基础工业的整体水平，我们一定能实现高端芯片的国产化，彻底打破芯片封锁。

当然了，芯片技术的研发需要稳步推进，不能急于求成，但随着国家扶持力度的加大，更多的科学家投身于此，“中国芯”一定能从封锁中开辟出一条光明大道，走上世界之巅，但也请给我们的科学家一点时间！