在一次采访当中，美籍华人黄仁勋这样评价华为的芯片工艺：
我对华为说自己7纳米并不感到意外，14纳米也好，7纳米也好，造手机没问题，都不过是他们说个数字而已，但性能并没有提升。在半导体领域，我们大概领先10年。
制程工艺现阶段，透露出来的中国芯片制程工艺也就是海思麒麟的7nm，其次就是龙芯CPU的14nm工艺。黄仁勋说的话不能算错，也不能算对。
他是站在英伟达水平的层面来评判华为的芯片工艺，从技术手段上面来说，由国产供应链打造的等效7nm的制程工艺，在性能表现上面必然是不如海外国家的产品。
华为芯片的这种7nm工艺，并且支持超线程技术，只能说是临时救场的技术手段。通过超线程调用所有的核心分工，以牺牲大核心性能的前提下保证中低负载场景的使用体验，这也是在被制裁的情况下，能最大提升芯片性能的做法。
DUV光刻机最极限的制程工艺也就是7nm，再往下发展，就需要极紫外线工艺的介入。而英伟达作为全球芯片行业的顶级企业之一，所拿到的资源是全球化的，不管是设备材料，还是设计工艺的技术，都属于行业最好的水平。
黄仁勋以英伟达的眼光来看待华为芯片的工艺，说是数字游戏也并不为过。
下面我们来说技术差距：
在电脑芯片领域，龙芯最新的3a6000在性能水平上面可以达到英特尔10代酷睿4核心的水平，技术差距在5年左右。
而被大众称之为麒麟9000s和麒麟9010的两款芯片，在整体的性能方面相当于高通的骁龙888的水平，技术差距在3年左右。
如果单独看实际的使用效果，在中低负载方面能达到骁龙8的水平，也就是三星4nm的技术水平，而高负载的水平就差一些了，跟台积电的4nm工艺的差距很大。
受制于产业链的因素，两款新的麒麟芯片在功耗上面都不低。
国产供应链从整体工业的发展情况来看，说国产供应链的水平距离海外主流水平的差距有10年也并不夸张。在芯片设计领域，我国的水平已经持平海外国家，甚至在部分产品上面已经有反超的迹象，但是在制造产业链上面，受制于人的情况依然严重。
在高端制造设备上面，由尹志尧带队的中微半导体制造的刻蚀机，是中国第一台拥有自主知识产权的高端芯片制造设备。
并且中微半导体的刻蚀机已经出口给了海外国家，就连台积电这种国际顶尖的晶圆加工厂，也有一部分刻蚀机是来自于中微半导体制造的。
至于光刻机领域，我国的上海微电子已经打造出部分光刻机产品，但是还没有能在消费级电子产品领域投入使用的设备。
在其他芯片产业链当中，盛美半导体的发展势头最猛。盛美半导体是国内集研发、设计、制造、销售于一体的半导体产业链公司，是中国半导体设备的五强企业。已经在刻蚀、清洗、除胶、抛光、电镀、显影等多个领域有了自主技术和制造设备的产出。
现在这些国产的芯片制造设备，绝大部分都是从国外给挖到国内的。
不管是中微半导体、中芯国际、还是盛美半导体，都是当年上海市副秘书长江上舟，动用自己的力量，把这些人以及企业从国外给挖到了国内，又从国家和政府的层面拉来了资助和政策扶持，这才有了现在中国国产芯片设备向上发展的好趋势。
在这其中，盛美半导体本身是美籍华人王晖在美国创办的企业，而且盛美半导体在美国拥有芯片全产业链的技术和制造工厂。在发展到一定程度之后，美国相关部门打算直接收购了盛美半导体，变成由美国部门掌控的美国企业。
江上舟知道了以后，立马找到王晖跟他协商。最终江上舟说服了王晖回国发展，连同盛美半导体一起挖到了中国上海。
以上海市为中心，集设计、制造、供应链体系为一体的半导体产业链开始进入快车道发展。现阶段已经在部分产业链和制造设备上面追上了国际水平，但是在部分高精度设备上面，依然跟国际水平有多年的差距。
