台积电前工程师，胡正明教授在访谈中指出，芯片技术是全世界需要用来解决人类以后遇到的生存困难。而这个技术的持续发展本身就很困难，需要全世界的努力，把最好的人力物力加在一起解决问题。

希望在未来，这个情况会被各国认识到，这是一个国际合作的项目，而不是一个国际竞争的武器。

胡正明在全球芯片的发展当中，在技术层面做出了非常突出的贡献。中微半导体董事长尹志尧曾经在访谈中，谈论到了胡正明：“现在所谓的5nm、3nm的三极管结构（FinFET），是一个华人胡正明教授提出来的，而且是在30多年前就提出来了。”

当时胡正明在美国工作，半导体芯片技术已经无法再往下发展了，美国政府进行建议征求，有没有办法将半导体芯片做到25nm以下。

胡正明将自己开发的FinFET技术进行了验证，发现可以将工艺下探到25nm及以下的工艺技术。

FinFET的两大关键突破点，一个是将内部的晶片做薄，将漏电的问题解决。另一个是因为未来的芯片技术要向上发展，所以就将内部的器件从之前的水平放置变成垂直放置。

之前国际半导体的发展，是由英特尔所主导的，但是胡正明教授开发了FinFET之后，打破了原来由英特尔所主导发展的技术限制，将芯片工艺向前推进了一大步。目前来说，这项技术还暂时看不到技术极限在哪里。

在开发了新技术之后，胡正明教授来到了台积电，担任首席技术开发官。

他在台积电任职的时间只有3年左右，但是在这3年期间，胡正明的学生梁孟松也来到了台积电。师徒二人联手，在台积电与IBM公司进行150nm铜制程大战的时候，带领台积电技术团队率先开发出了130nm工艺。

在技术层面领先了IBM的台积电，直接成为了全球晶圆代工领域的统帅，掌控了整个行业的技术发展速度。

在帮助台积电打败了竞争对手之后，胡正明教授回到了美国，来到了自己曾经就读的美国加州大学伯克利分校，担任学校的教授，从事教育工作。

2016年，胡正明获得了美国国家科学奖，由当时时任美国总统的奥巴马亲自为其颁奖。

虽然美国一直存在霸权主义，但是不能否认，美国对于技术的重视程度要远超当时的中国。能获得了最高水平的国家技术奖，足可以说明胡正明在半导体领域开创的技术是全球性的，是拥有可持续发展性的。

胡正明是尤其注重教育体系的，他崇尚的是用技术，带领全球的人类走向更高标准的生活水平。在他还没有开创FinFET技术之前，就已经在海外多次回到中国，与中国的高等学府进行合作，推动中国在半导体领域的技术发展。

其中包括了清华大学、北京大学、复旦大学、中国科学院微电子所等国内高水平的科研部门。

在1990年的时候，胡正明在北京大学和清华大学设立了5个名额的研究生奖学金，以此来激励那些对半导体行业有想法的年轻人。

1997年，胡正明跟随父亲回到了老家金坛，与父亲和弟弟共同在金坛市第一中学设立奖助基金，帮扶那些品学兼优，但是因家庭贫困无法继续攻读学业的孩子。

甚至在父亲过世之后，家乡人为了纪念这个热爱家乡、捐资助学的老学者，在学校里面为他打造了一座铜像。父亲过世之后，胡正明肩负起了帮扶家乡孩子的重任。

几年下来，胡正明投入奖助基金的总金额达到了一百万人民币以上，帮扶过的孩子达到了300多人。

在2017年之后，胡正明回到了台湾，来到了台湾交通大学半导体学院继续从事教育行业。台湾交通大学，这也是曾经胡正明父亲教书的地方，如今他也回到了父亲曾经教书育人的学校，在教育事业上面奉献力量，完成了属于自己这一代人的价值闭环。

胡正明教授虽然在全球半导体领域当中有着极高的技术声望，也受到了美国最高水平的科技奖项，但是他发展技术的唯一目的就是为了通过新技术去造福人类，而不是把新技术打造成为一个去制衡其他国家的工具。现在的他，与美国的科技发展，格格不入。