三星在 DRAM 领域的转型无疑取决于其下一代 HBM 的进展，现在有一线希望。据韩国媒体《朝鲜日报》报道，该公司已开始试生产 HBM4 中使用的逻辑芯片。更重要的是，该公司已利用其内部 4nm 节点启动了初始生产，该报道补充道。
《朝鲜日报》援引行业报告指出，在完成逻辑芯片的性能验证后，三星计划向客户提供 HBM4 样品进行测试。
这对三星来说将是一个重要的里程碑。《每日经济新闻》此前的报道透露，这家内存巨头已经开始开发“Custom HBM4”，这是专为微软和 Meta 等 CSP 客户量身定制的下一代高带宽内存，预计将于 2025 年实现量产。
据《朝鲜日报》报道，由于其主要竞争对手 SK 海力士已从 NVIDIA 手中夺得了 HBM3 和 HBM3E 订单的最大份额，在 HBM4 生产中采用自己的内部先进节点被视为三星在 HBM 市场的游戏规则改变者。
据报道，与 HBM3E（其中 DRAM 堆栈仅连接到 GPU 或类似设备）不同，HBM4 采用了使用代工技术生产的逻辑芯片，从而能够针对特定客户 IP 和应用程序优化 HBM 解决方案的定制。
值得注意的是，报道称，SK 海力士使用台积电的 5nm 工艺生产逻辑芯片，而三星则依靠更先进的 4nm 节点来提高性能并提高电源效率。
此外，三星还计划将更多尖端技术应用于 HBM4 生产。据《朝鲜日报》报道，三星预计将在其 HBM 产品中使用第六代 (c) 10nm 级 DRAM，而 SK 海力士将使用第五代 (b) 10nm 级 DRAM。
此外，报道称，三星计划采用混合键合技术来堆叠16层HBM4产品，而不是之前使用的先进热压非导电薄膜（TC-NCF）技术，该技术使用铜而不是传统的凸块直接连接芯片。
