近日，中国3D NAND 闪存领军企业长江存储，在美国加州北区对美光提起诉讼，指控其侵犯11项专利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM产品。长江存储还要求法院下令美光停止在美国销售侵权的存储产品，并支付专利使用费。

长江存储在诉状中称，长江存储于2023年在闪存市场超越美光后，美光却未经授权、大规模使用其专利发明。此次涉及侵权的产品包括，美光的 96 层（B27A）、128 层（B37R）、176 层（B47R）和 232 层（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRAM 产品（Y2BM 系列），侵犯了长江存储在美国提交的 11 项专利或专利申请，这些专利涵盖芯片结构和制造方法等技术。

值得注意的是，今年5月份，美光还因侵犯了计算机内存公司Netlist在高性能计算内存模块技术方面的专利权，被美国德克萨斯州东区联邦地区法院判定其支付高达4.45亿美元的赔偿金。

并且这也并非长江存储第一次对美光提起诉讼。去年11月，长江存储就曾在美国起诉美光专利侵权，涉8项存储器专利包括：

US10950623（3D NAND 存储装置及其形成方法）、US11501822（非易失性存储装置及其控制方法）、US10658378（用于三维存储装置的贯穿阵列接触（TAC））、US10937806（用于三维存储装置的贯穿阵列接触（TAC））、US10861872（三维存储装置及其形成方法）、US11468957（NAND 存储器操作的架构和方法）、US11600342（三维存储装置的读取时间）、US10868031（多堆栈三维存储装置及其制造方法）

到了今年6 月，长江存储又在美起诉美光资助的咨询公司，指控其散布虚假信息，试图通过不正当手段打压竞争对手，维护自身的市场地位。根据长江存储的调查，受美光资助的丹麦咨询公司 Strand Consult 及其副总裁罗丝琳・雷顿（Roslyn Layton）散布虚假信息，破坏长江存储的市场声誉和商业关系。

据悉，该网站一篇文章声称长江存储的芯片可能会“窃取数据”，并且会“危害iPhone用户的安全和隐私”。该网站还在另一篇文章中呼吁苹果公司终止与长江存储合作，转而采购美光（Micron）等供应商的产品。

长期以来，我国使用的存储芯片严重依赖进口。据智研咨询统计，2018年，我国集成电路进口额达3120亿美元。其中，存储芯片为1230亿美元，占集成电路进口总额的39%。直到以长江存储为代表的制造商出现。

2016年7月，长江存储科技有限责任公司成立，总部位于武汉，专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路，同时也提供完整的存储器解决方案。

2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存，并于第二年量产。2019年9月，搭载长江存储自主创新 Xtacking® 架构的第二代 3D NAND闪存正式量产。2020年4月，长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存，拥有发布之时业界最高的I/O速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。

通过不懈努力和技术创新，长江存储成为了全球领先的NAND闪存解决方案提供商。根据2022年11月，分析和跟踪闪存市场的TechInsights公司得出结论：长江存储是3D NAND闪存领域的领导者，超过了美光。

就在此时，2022年底，美国商务部将长江存储列入实体清单，这大大增加了公司从美国公司获得先进晶圆厂设备以制造其市场领先的 3D NAND 设备的难度。

尽管美国政府设置了严格的限制，也并未阻止长江存储3D NAND 存储器的发展。据悉，长江存储的Xtacking 3.0 闪存已投入量产，现在该公司正在开发采用其 Xtacking 4.0 架构的3D NAND。

此外，今年早些时候，长江存储在中国闪存市场峰会CFMS 2024上表示采用第三代 Xtacking 技术的 X3-6070 QLC 闪存已实现4000次P/ E的擦写寿命。据悉，TLC目前最高就只能做到5000次，QLC的话一般不超过1000次，意味在长江存储的QLC闪存已经达到普通QLC闪存的4倍，这显著改善了廉价SSD的特性，可以让普通消费者乃至企业级客户都放心长期使用。

长江存储向美光起诉专利侵权也有一定象征意义，不仅显示出了自身技术的领先性，也体现出国内企业在面对外界打压的顽强性。