据韩媒报道，由于客户对先进存储器的需求，SK海力士打算改变原来的计划，以3nm取代5nm，采用更先进的工艺生产HBM4基础裸片，预计HBM4将在2025年下半年开始供货。这一举措旨在提升AI半导体的运行效率，并支持客户定制电路，从而进一步增强HBM4内存的性能和功能。
消息称，SK海力士标准款HBM4将继续采用N12FFC+基础裸片，而定制产品则从5nm升级至3nm，基础裸片有望提升20%~30%的性能。这种工艺选择使得SK海力士能够根据不同客户的需求提供定制化的解决方案。
值得一提的是，SK海力士在HBM4上对基础裸片的称呼已经从DRAM Base Die调整为Logic Base Die，这意味着HBM4时代的基础裸片将全面转向逻辑半导体工艺，并支持客户定制电路，从而提升了整体系统的运行效率。
SK 海力士将在 2025 年下半年为主要客户生产采用台积电 3nm 工艺的第六代高带宽存储 (HBM4) 芯片。有消息人士称，SK 海力士将与台积电合作，最早于明年 3 月发布采用台积电 3nm 工艺制造的垂直堆叠 HBM4 芯片原型。NVIDIA 将是这批芯片的主要客户。基片是指多层半导体封装中的基础层，特别是在 HBM 等高级存储芯片中。报道补充道，与采用 5nm 基片的 HBM4 相比，在 3nm 基片上堆叠 HBM 预计可将性能提高 20-30%。
