三星电子已经开始建立一个测试线，以提高其第七代DRAM的产量，这是一种比现有技术领先两代的存储器，处于10nm级别。这一举措被解读为一种先发制人的投资，旨在在DRAM领域，包括高带宽存储器失去“优越性”地位后，扩大与竞争对手之间的技术差距。
三星已开始建新一代10nm内存测试线业界消息传出，三星已于第四季开始在平泽P2厂建置10nm级第七代DRAM测试线。业界也称之为「单路径线」，明年第一季建成。
测试产线是测试新半导体产品量产潜力的设施，一旦下一代芯片性能在研发阶段时确定，就会在此引进晶圆，开始提高量产良率。目前还不确定平泽10nm级第七代DRAM厂房的规模，但通常安装测试产线每月可处理约1万片晶圆。
三星3月美国「MemCon 2024」宣布，2026年前量产第七代DRAM，至于前身第六代DRAM，计划 2025 年量产。故这条第七代测试线与第六代DRAM量产准备工作同步进行。
三星计划明年初开始以平泽P4厂为中心引进半导体设备，生产10nm级第六代DRAM，并加快良率脚步，目标是明年5月前取得公司量产认证。此外，为了顺利第六代 DRAM 量产，三星将DRAM 人员从华城厂调派至平泽厂。
三星第六代 DRAM还没进入量产阶段前就先盖第七代厂房，外界认为是将明年视为重夺优势的起步年，故预先投资。全球DRAM制造龙头的三星最近遭遇重大打击，HBM 市场被第二大公司 SK 海力士夺走，10nm级第六代存储器开发速度也落后对手。
如果要夺回领导地位，必须加速产品开发，从三星新人事变动可窥见。三星副董事长全永铉从半导体业务的设备解决方案负责人改为执行长，同时兼任存储器业务和三星综合技术院负责人。他以强大驱动力著称，将大胆推动三星技术开发和投资。
为HBM4量产铺平道路早在数月前，面对日益增长的市场需求和内存行业的持续复苏，三星选择在其平泽P4工厂建设1cnm工艺的DRAM生产线，目标是在2025年6月开始量产。据悉，已开始向Lam Research等合作伙伴订购设备，以便在平泽P4工厂建造1cnm DRAM生产线，预计2025年第一季度开始进行安装，为HBM4量产铺平道路。
其实之前三星就已组装了1cnm工艺的DRAM生产线，不过仅限于试产，而且还取得了不错的进展。如果1cnm DRAM生产线运转良好，且能获得稳定的收益率，那么三星还可能追加额外的投资，进一步扩大产能。1cnm属于第六代10nm级别工艺，电路线宽约为11-12nm，领先于现有第五代10nm级别的1bnm，预计明年开始全面进入商业化生产。
三星的HBM4为12层垂直堆叠，打算选择4nm工艺生产基础裸片，并采用1cnm工艺制造DRAM芯片。三星目前采用10nm工艺生产HBM3E的基础裸片，在新一代HBM4上换成4nm工艺可以增强其在HBM领域的竞争优势。三星希望在HBM4量产上可以追上SK海力士，重新夺回HBM市场的领导地位。
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