长期以来，在光刻胶部分，日本在全球都是处于垄断地位的，中国的芯片发展也受其限制。不过近期中国在这一产品的生产技术上取得非凡突破，在世界科技领域引起了剧烈反响。中芯国际，作为国产芯片龙头企业，已经开始试用国产光刻胶，这意味着我国的芯片行业又向前迈进了一大步。
后摩尔时代，先进封装获重视先进制程的成本快速提升且接近物理极限，先进封装获重视。随着工艺制程进入10nm以下，芯片设计成本快速提高。据数据，16nm工艺的芯片设计成本为1.06亿美元，5nm增至5.42亿美元。同时，由于先进制程越来越接近物理极限，摩尔定律明显放缓，侧重封装技术的More than Moore路径越来越被重视。
台积电早已入局先进封装，近年约10%资本开支主要用于先进封装。台积电在追求先进制程的同时，早在2008年便成立集成互连与封装技术整合部门入局先进封装，目前已形成CoWoS、InFO、SoIC技术阵列。近年来，台积电每年资本开支中约10%投入先进封装、测试、光罩等。
光刻胶不仅仅可用于芯片制造，还可以应用到印刷工业领域等等，具有非常广的应用能力，但就是这样一个关键的半导体材料，却一直都被日本企业所垄断，例如东京应化，富士胶片等日本企业，都是全球光刻胶的龙头企业，在全球光刻胶市场中，掌握着绝大的行业话语权，长期维持对光刻胶的垄断，导致很多芯片代工企业，都必须要和日本企业合作，前一段时间爆发的日韩半导体事件，三星、SK海力士等等，就遭到了光刻胶产品断供，一度不得不面对停产的尴尬局面，可见作为如此关键的芯片材料，其地位甚至不亚于光刻机。
并且该领域巨头技术垒点高、市场集中度高的特点，给我国企业带来了不小的挑战，长期以来，KRF、ARF高端光刻胶市场，都是被日本所垄断，几乎占据了95%以上的市场。虽然美国也有该项技术，但也仅限于自给自足，而我国自给率还达不到5%，可以说是完全依赖于进口。
迈向超越摩尔时代，先进封装大势所趋摩尔定律带来的经济效应不断降低，制造先进制程升级速度逐渐放缓。“后摩尔时代”先进制程升级速度逐渐放缓。摩尔定律是指集成电路中 可以容纳的晶体管数量在每18-24个月增长一倍。
目前芯片工艺已经走向3nm以下的极致阶段，而当芯片制程逼近1nm时将进入量子物理世 界，会产生显著的量子效应。例如晶体管数量的不断增加会产生短沟道效应，势垒将无法对电子穿透进行有效的阻隔，从而造成漏电，进一步使得晶体管的效应难以控制。除此之外，大量的晶体管工作时产生的热 量也对芯片散热能力提出了更高要求。
摩尔定律带来的经济效应不断降低。从制造成本来看：芯片从16nm到10nm，每十亿个晶体管的成本下降了30.7%，而从5nm到3nm，成本仅下降了4.2%。从研发成本来看：推进先进制程芯片使得芯片制 造商的研发成本与资本开支负担不断加重，同时芯片设计商的设计成本 和流片成本也会不断加重，且技术上的不确定性会使新产品上市时间不 断滞后。
先进封装技术是超越摩尔定律的重要赛道。目前对于集成电路的发展，行业内主要有两个主流方向。一是延续摩尔定律，以提升单个芯片性能 为目标，在晶体管缩放技术上进行进一步探索，例如采用FinFET、GAA等工艺。二是超越摩尔定律，先进封装技术就为其中的一条重要赛道，以提升系统性能为目标，将多个不同性能的芯片集成在一个系统内，通过成本可控的系统级芯片系统来提升整体的性能和功能。
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