AI硬件的核心在于算力和存力，传统内存带宽成为制约AI硬件和系统达到最大算力性能的瓶颈。
为了充分发挥AI加速器的硬件性能，市场对有更高带宽的内存解决方案需求迫切。
HBM（高带宽内存）具有高带宽优势和低功耗特性，是释放算力性能的关键，当前在全球AI需求推动下HBM供不应求。
HBM在DRAM市场中的占比约为1.5%，当前正处于缺货和低库存阶段。
相较于其他DRAM产品，HBM在内存带宽和速度上均大幅领先，正在成为当前AI最重要的内存技术之一。
市场上第五代HBM已经应用于英伟达的产品中，第六代高带宽存储器HBM4预计最早将于2026年开始量产。
在AI算力高景气的背景下，HBM有望加速迎来量价齐升。
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HBM行业概览HBM（高带宽内存）是创新的内存芯片技术，通过将多个DDR芯片堆叠并与GPU封装在一起，实现大容量和高位宽的DDR组合阵列。
HBM属于DRAM的一种，采用独特的3D堆叠结构，适用于AI训练卡或少数高端AI推理卡。
在推理芯片方面，如英伟达的A100、H100通常都配备有HBM。英伟达最新发布的H200 GPU及更新后的GH200产品线首次搭载了HBM3e，运行大型模型的综合性能提升了60%至90%。
相较于其他DRAM，HBM具有高带宽、低功耗和面积小三大优势。
HBM主要设计工艺包括TSV（通孔技术）、MicroBump以及混合键合等环节。
制备HBM的过程包括DRAM颗粒的制备和多个DRAM颗粒之间的垂直堆叠。
HBM竞争格局和龙头厂商从HBM领域市场格局来看，SK海力士、三星和美光三大存储巨头引领行业。
海力士处于遥遥领先的地位，公司从10年前就开始涉足HBM制造，并持续进行产品迭代。目前海力士已经量产了新一代HBM3E芯片，并与英伟达建立了紧密的合作关系，成为其主要的HBM供应商。
SK 海力HBM示意图：
三星公司在2023年量产HBM3产品，并规划在2025年量产HBM4产品；美光目前正处于追赶之中，HBM3E进度直逼海力士，预计在2024年底完成量产。
HBM全球市场份额：
国内HBM产业链上下游布局公司众多，其中香农芯创的子公司联合创泰作为海力士在中国区的代理商之一，拥有代理海力士全线产品的资质。
存储环节主要布局的厂商还包括佰维存储和雅创电子等；设备环节主要有赛腾股份、精智达和新益昌等企业。
HBM工艺相关材料如硅微粉、电镀液、前驱体等用量也有全面提升，国内在材料相关领域布局厂商包括华海诚科、雅克科技、联瑞新材、兴森科技和深南电路等。其中，华海诚科是国内领先的半导体环氧塑封料公司；深南电路和兴森科技作为国内PCB行业的龙头企业，同时在IC载板方面也进行了较快的布局；雅克科技是全球领先的半导体前驱体供应公司，产品供应给海力士、美光、三星等龙头客户；先进封装环节，主要的参与厂商有通富微电、深科技、长电科技和华天科技等。
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