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测试课程 2024-09-12 10:42:05

1、研究背景

自几年前首次预测出五边形2D材料,即五边形石墨烯和贵金属二硫化物以来,由于其独特的性质和在纳米电子学、光电子和热电学中的潜在应用,人们对这类材料的兴趣不断增长。与广泛研究的六边形2D材料不同,五边形2D材料以五边形作为构建块。根据五边形平铺规则,正五边形不能平铺平面,导致了五边形2D材料往往会形成褶皱层。这种褶皱结构呈现出较低的晶体对称性,导致具有矩形晶胞的正交晶体结构。低晶体对称性带来了显著的平面内各向异性和低导热性,使其成为未来各向异性电子学和热电学的有前景的候选材料。

五边形2D材料中的褶皱层也会导致键长和键角的重整化,不仅减少了层厚度,还增加了材料的柔韧性。例如,五边形过渡金属二硫化物(TMDC)单层比六边形TMDC单层薄40-50%,并可促进其在柔性设备和可穿戴电子产品中的应用。此外,五边形2D材料还预测具有多种吸引人的特性,如五边形石墨烯的超高强度、五边形SnX2(X=S, Se, Te)的室温量子自旋霍尔效应、五边形MoS2的磁性狄拉克费米子,以及半导体五边形VTe2的铁磁性。这些特性不仅使五边形2D材料成为新应用的有前景的材料,而且在探索新量子态和现象的基础研究中也显示出巨大的潜力。

尽管五边形2D材料在理论上已被预测多年,但实验研究相对较少。最近,PdSe2和类似的PdPSe和PdPS作为具有五边形结构的热力学稳定相才开始研究。它们的高迁移率和大的平面内各向异性已被证实,推动了它们在功能纳米电子学中的应用。此外,PdSe2中观察到巨大的非线性光学活性,表明其在光电子学中的潜力。更有趣的是,五边形结构为PdSe2的结构重建提供了极大的灵活性,为相位工程提供了机会,并实现了层间操纵。然而,与PdSe2相比,许多基于五边形2D材料是亚稳态的,实验合成极其困难。尽管已经合成了六边形二维TMDC的一些亚稳态相(如MoS2的1T和1T′相),但五边形基亚稳态相的直接合成尚未得到证实。缺乏合成和稳定五边形二维材料(特别是亚稳态材料)的适当方法,阻碍了对这类独特2D材料的深入探索。

2、研究成果

近日,美国普渡大学Yong P. Chen&Dmitry Y. Zemlyanov和苏州大学李有勇教授,联合报道了通过对称驱动外延技术成功合成亚稳态五边形2D材料----单层五边形PdTe2。通过扫描隧道显微镜和互补光谱测量对其进行了表征,发现该材料具有有序的低对称原子排列,并通过与下层Pd(100)基底的晶格匹配而稳定。理论计算和角度分辨光电子能谱揭示,单层五边形PdTe2是一种间接带隙为1.05eV的半导体。这项研究为合成基于五边形的2D材料开辟了一条途径,并为探索其在多功能纳米电子学等领域的应用提供了机会。相关研究工作以“A metastable pentagonal 2D material synthesized by symmetry-driven epitaxy”为题发表在国际顶级期刊《Nature Materials》上。

3、研究内容

这项研究成功实现了亚稳态单层五边形PdTe2的直接合成。研究者使用外延生长技术来合成五边形PdTe2,这是一种生长高质量2D材料的有效方法。在这一过程中,衬底的对称性对于控制和稳定生长结构至关重要。通过Pd(100)表面的直接碲化,通过对称驱动外延合成了单层五边形PdTe2,其晶格与五边形PdTe2的晶格表现出良好的匹配。通过一系列结构和光谱表征,证实了单层五边形PdTe2的成功生长。

结合扫描隧道显微镜(STM)测量和低电子能衍射(LEED)分析,证明了五边形PdTe2的原子结构。X射线光电子能谱(XPS)测量,证实了PdTe2的形成和单层厚度。通过DFT计算揭示了声子色散,并通过高分辨率电子能量损失光谱(HREELS)观察到了相应的晶格振动模式。DFT计算表明,单层五边形PdTe2是一种间接带隙为1.05eV的半导体,这与扫描隧穿光谱(STS)的结果一致。此外,通过角分辨光电子能谱(ARPES)测量了单层五边形PdTe2的价带。这种直接合成方法,以及对单层五边形PdTe2的原子结构、声子色散和电子结构的全面表征,将大大加快五边形2D材料的研究领域。

图1. 单层六角形和五边形PdTe2的合成

图2. 单层五边形PdTe2的声子

图3. 对生长的单层五边形PdTe2的STM和LEED测量

图4. 不同偏压下的实验和模拟STM图像

图5. 单层五边形PdTe2的能带结构

4、结论与展望

总之,研究者证明了对称外延驱动的亚稳态单层五边形PdTe2的碲化直接合成,并对这种五边形2D材料进行了全面表征。STM和LEED证实了,生长的五边形PdTe2表现出一维锯齿形原子链,晶胞与下层Pd(100)基底的(√5×√5)R26.6°超晶胞相匹配。XPS证实了PdTe2的形成,并确认了其单层厚度。利用HREELS探测了PdTe2的晶格振动,实验获得的光谱与单层五边形PdTe2计算的声子模一致。实验STM图像在不同偏压下显示出强烈的偏压相关性,这在模拟的STM图像中也得到了清楚的展示。计算的能带结构表明,单层五边形PdTe2是一种间接带隙为1.05eV的半导体,这与STS测量的带隙一致。通过ARPES进一步测量了价带结构,揭示了与计算相符的特征。

对称驱动的外延生长方法为五边形2D材料的合成提供了一条可行的途径,即使这些材料处于亚稳态。这种方法将把这组独特材料添加到2D材料家族(迄今为止由六边形相主导)中,将其扩展为包括大量低对称性构件。这也将为2D材料在基于平面内各向异性的功能电子、源自非线性光-物质相互作用的光电子、以及受益于低导热性的热电器件等应用中带来前所未有的机遇。

论文链接:

https://www.nature.com/articles/s41563-024-01987-w

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