众所周知，在存储芯片领域，三星、SK海力士以及美光科技，一直是行业内的巨头。国内相关企业由于起步时间较晚，往往无法在高端产品中对海外巨头产生威胁。这也导致早年间，国内有关存储芯片的产品售价经常发生波动。
外企的一场火灾、一则涨价通告，都会导致国内相关产品的价格在短期内出现大幅上涨。而这种价格上涨对于国内的个人用户乃至企业而言，都增加了许多不必要的开支。近几年，随着国产存储芯片的产业发展，形势逐渐发生逆转了。连韩国芯片巨头三星都开始采用中企的专利技术，国产芯片的转机或许就要到来了。
目前存储芯片市场的两大主流产品，分别是DRAM内存和NAND闪存。三星一是该市场占有率最大的芯片公司，市场份额长期位居全球第一。但令人没想到的是，三星电子近日与中国存储芯片厂商长江存储签署了专利许可协议，将从后者获得3D NAND“混合键合”专利。
该专利技术是一项将晶圆与晶圆直接键合的尖端封装技术。韩国三星作为该领域的主导者，通过中企授权相关技术的做法十分的罕见。另外，根据外媒发布的报道，韩国另外一家存储芯片厂商SK海力士也计划与长江存储就该技术达成授权。
据了解，三星、SK海力士之所以要从长江存储手中取得授权，主要原因就是由于该技术在国际市场内也属于领先水准。三星、SK海力士等外企几乎无法绕开相关授权，去生产下一代的先进芯片。所以，在被逼无奈之下， 三星才选择了与中企长江存储达成了授权协议。
如此一来，国产存储芯片的发展，或许也将要迎来转机了。原因主要来自于三方面：第一，长江存储依靠自身的专利技术，已经实现了232层3D NAND闪存芯片的量产。该产品在国内外市场，均属于中高端产品。在与三星达成相关授权之后，长存在海外市场的布局就可以得到有效推动。
第二，国产存储芯片产业链的基础建设已经完成。与动辄7纳米、5纳米的先进制程芯片不同，长江存储通过Xtacking技术，就可以通过14纳米等成熟制程工艺来生产产品。而现阶段借助国内的芯片产业链，就可以完成这部分产品的代工。美西方在存储芯片领域的“卡脖子”手段，几乎已经全部失效了。
根据外媒发布的报道，中国存储芯片的自给率，将在未来两年内达到50%。届时，即便是韩国三星、SK海力士等外企，也无法在存储芯片领域对中企实施成功断供。国内在存储芯片这一领域，基本上稳了。
第三，长江存储的先进技术还在不断迭代，目前长存Xtacking已经发展到了第四代版本，更便于堆叠层数超400层的产品开发。相关产品一旦被成功开发出来，国产存储芯片就有望在性能上大幅度领先三星、SK海力士等外企。
综上所述，如今国内外芯片领域的局势已经发生逆转了。老美的芯片管制不仅没能阻止我们发展独立的芯片产业，反而正让国内企业爆发出更多的创新精神。在技术创新的背景之下，中企必将逐步打破美西方的技术垄断，从而在高端芯片领域实现自给自足。对此，你又是怎么看的呢？欢迎大家留言、讨论！
