氮化镓芯片全球第一！英诺赛科上市，NASA首席女科学家归国创立

今日（12月30日），全球最大的氮化镓芯片制造品牌——英诺赛科，成功登陆港交所。

此次发行价为30.86港元/股，开盘后市值一度涨至约300亿港元。截至收盘，总市值达272.54亿港元。

英诺赛科是全球氮化镓功率半导体龙头，已连续两年荣登胡润研究院《全球独角兽榜》，是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，也是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。

公司2023年在全球所有氮化镓功率半导体公司中，出货量和营收均排名第一。

英诺赛科背后创始人是一位女性科学家，曾任美国宇航局（NASA）首席科学家的骆薇薇。骆薇薇毕业于新西兰梅西大学，2008年8月获得应用数学博士学位后，在美国宇航局（NASA）工作了15年，从高级项目经理一直做到首席科学家。2015年底，骆薇薇看到了第三代半导体产业的发展潜力，回国创办了英诺赛科公司。

彼时，全球第三代半导体发展仍在早期，氮化镓也还没有被大规模商用，当时很多企业还仍用6英寸或者是4英寸工艺，而骆薇薇却选择了更难的8英寸工艺。

在她看来，经验不该成为发展的瓶颈和壁垒。“如果觉得它是可行的，你所有的感官和智慧都会为之敞开，你会找到路径去做。对于在‘无人区’中探索，我好像没有那么多的恐惧心理，我会去判断这个事情在执行层面的可行性，再根据逻辑一步一步把它完成。”

2015年12月，骆薇薇先是在珠海成立了公司，作为小规模生产基地营运。随着珠海这家公司在研发及小规模生产方面取得进展并累积成果，其产能已经不再能满足生产需求。

随后的2016年，也被称之为“第三代半导体发展元年”，国务院国家新产业发展小组将第三半导体产业列为发展重点，国内企业扩大第三半导体研发项目投资，行业进入快速发展期。

另一方面，随着国内新能源汽车、风电、光伏等优势产业的兴起，也为氮化镓功率半导体的发展带来了巨大的市场机遇。

为促进产品及研发成果转向大规模产业化及商业化。2017年，骆薇薇在邻近大量第三代半导体公司及供应商所在地苏州，成立了英诺赛科（苏州）科技股份有限公司。

在骆薇薇的带领下，英诺赛科先后建设完成了珠海，苏州两座半导体晶圆厂，并在全世界范围内首次实现了氮化镓 8 英寸量产制造工艺，同时填补了国内在该领域的空白。目前，公司已拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。

英诺赛科的核心竞争力除了其领先的技术研发实力之外，全产业链模式也是关键。公司自成立以来便采用了IDM一体化模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体。实现了全产业链的自主可控，有效保证了产品的质量和性能，从而成功跻身全球氮化镓产业第一梯队。

根据弗若斯特沙利文的资料显示，2023年，以折算氮化镓分立器件出货量计，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体公司中市场份额排名第一，市占率高达42.4%。按照收入来看，英诺赛科2023年的收入为5.93亿元，市场份额达33.7%，同样在全球氮化镓功率半导体企业中排名第一。截至2024年6月30日，英诺赛科的产能已达到每月12,500片晶圆，累计出货量超过8.5亿颗。

目前英诺赛科产品已在激光雷达、数据中心、5G通讯、高密度高效快速充电、无线充电、车载充电器、LED 灯照明驱动等领域应用，并与国内多家应用头部企业开展深度合作，实现量产。

其中，宁德时代是英诺赛科2023年最大的客户，贡献了1.9亿的收入，占总收入的比重高达32%。英诺赛科的VGaN系列芯片已成功应用在OPPO、联想、Realme、一加等品牌的多款智能手机中。同时，英诺赛科也是中国激光雷达巨头禾赛科技的供应商。此外，英诺赛科还与小米、比亚迪、安森美、MPS等国内外厂商开展应用开发合作。

融资方面来看，作为一位有影响力的华人科学家，骆薇薇回国创业后，英诺赛科就得到一众风投机构和地方产业基金的押注。

根据招股书显示，从2017年至2024年，英诺赛科累计完成了5轮融资，金额合计超过60亿元。投资方阵容包括SK、ARM、宁德时代（曾毓群）等行业巨头,也有招银国际资本、钛信投资、朗玛峰创投、海通创新以及吴江产投、武汉光谷等知名投资机构。

最新一轮融资为今年4月的E轮融资，融资金额为6.5亿元，武汉高科与东方富兴等入股。

值得关注的是，2021年英诺赛科的C轮融资中，宁德时代创始人曾毓群曾以个人名义向英诺赛科投资2亿元，这也是他首次以个人身份投资一家半导体公司。后于2023年曾毓群将股权转让给了妻子洪华灿。

此后，从2022年开始，宁德时代也一直是英诺赛科的第一大客户。今年2024年上半年，英诺赛科从宁德时代获得的营业收入为1.04亿元，占总营收比例高达27.1%。据悉，英诺赛科主要为宁德时代提供用于锂电池化成分容设备的电源模组。

今年12月18日， 英诺赛科开始招股，中金公司、招银国际为联席保荐人。此次IPO，英诺赛科还引入了包括意法半导体、江苏国企混改基金、东方创联、苏州高端装备等4名基石投资者，合计认购金额1亿美元，超过本次IPO募资总额的一半。

资金使用方面，英诺赛科IPO募集所得资金净额将主要用于扩大8英寸氮化镓晶圆产能、购买并升级生产设备与机器，以及招聘生产人员；研发并扩大产品组合扩大氮化镓产品的全球分销网络等方面。

虽在市占率上英诺赛科遥遥领先，但企业还是处于亏损状况，并且还是长期亏损超过营收。招股书显示，2021年至2024上半年，其营收分别为6821.5万元、1.36亿元、5.93亿元和3.86亿元，同期公司经调整净亏损分别为10.81亿元、12.77亿元、10.16亿元和3.78亿元，合计亏损近38亿元。

亏损背后，也源于公司成立之初就定下的IDM模式，这一模式下可以减少被“卡脖子”的风险，但也意味着公司需要预先投入大量资金从研发到建设产线。

招股书披露的数据显示，在2021年至2024年上半年，英诺赛科研发开支分别为6.62亿元、5.81亿元、3.49亿元和1.46亿元，分别占其总收入的970%、426%、58.8%及37.7%。总体来看，英诺赛科的研发开支呈下降态势，主要是由于公司研发费用中包含前期的大量产能扩张。

大量研发投入也是英诺赛科能全球领先的关键。截至2024年12月10日，公司在全球有406项专利及387项专利申请，涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。

同时，英诺赛科还前瞻性地布局国际市场，在硅谷、首尔、比利时等地设立了子公司。2023年，公司来自境外销售收入近人民币5800万元，约占同期总收入的10%。今年2024年上半年，英诺赛科来自境外的销售收入占比增加到了10.5%，销售金额达到了4040万元。其中，增长最大的国家是韩国，占比提升到了7.2%，金额达2760.3万元。

氮化镓作为一种新型半导体材料，是一个崭新的领域，也是为数不多与国外差距不大、我国最有可能实现弯道超车的领域之一，市场前景非常广阔。而英诺赛科已被国家四部委列入重点支持的0.25微米以下的集成电路企业，也是国内第一个通过国家发改委窗口指导的第三代半导体项目。

通过此次在港上市，也能为英诺赛科带来更多资金的流入，助力其持续在研发产能方面的投入，实现在技术上的不断迭代和领先。同时，也能让其更好地对接国际资本，进一步助力海外市场扩张。

当然对于英诺赛科来说，要想持续发展，真正实现“自我造血”才是关键。从英诺赛科公布的财报数据来看，目前净亏损逐步收窄。随着氮化镓应用市场的快速增长，也期待英诺赛科能早日扭亏为盈，为中国乃至全球第三代半导体产业发展贡献力量。