最近，重庆科学城又传来一个好消息，而且内容非常炸裂。

据某知名大V爆料，重庆超瞬态实验装置一期项目正在抓紧建设，计划2024年完工。

这个项目将建设0.5GeV低能强流同步辐射光源和3个超瞬态电子显微集群的建设，为极紫外光刻（EUV光刻）、拓扑量子计算、先进制造等研究提供真空紫外波段的高通量辐射光。

同步辐射光源、EUV光刻……这不禁让我想起了最近在网上非常火爆的“清华大学SSMB-EUV”方案。

众所周知，中国的芯片制造技术一直被米国“卡脖子”，尤其是用于先进制程的EUV光刻机全球仅荷兰ASML能够生产且被限制进口，华为等工厂急需国产替代方案。

其中难度最大的便是光源小型化，中国科学家开始另辟蹊径。

根据公开资料显示，清华大学提出了一个SSMB-EUV方案（稳态微聚束），产生的波长可以覆盖太赫兹到极紫外波段，能够满足各种芯片制程的光源。

这就从原理上打破ASML的技术封锁，功率更是ASML的40来倍，可用于1nm芯片的光刻。

简单的理解，就是这个光源功率大占地也大，可以筛分出不同波长的光源（3nm\7nm\14nm等）供芯片光刻使用。

如果还是难以理解，可以看下面几张图：

不过这个事情网上争议很大，真真假假很难辨别。

随后，山城君在重庆大学超瞬态装置实验室官网上进行了查询，对前面所提到的“超瞬态同步辐射光源”，提到了其主要应用：

本装置主要服务于国民经济主战场中一系列“卡脖子”问题对高通量光源的迫切需求。

（截图官网：http://lutf.cqu.edu.cn/ysy/sy.htm）

到目前为止，国内在高通量光源方面被“卡脖子”的，好像也就只有EUV光源了，换句话说这事还真不是空穴来风。

所谓近水楼台先得月，重庆会不会由此在先进芯片制造方面迎来突破呢？

目前重庆已有华润微和万国半导体两家半导体制造企业，加上在建中三安/意法项目，均集中在功率半导体制造领域，基本都是28nm以上的成熟制程。

而国内唯一拥有先进制程能力的中芯国际，在重庆并没有工厂。

不过从市场需求来看，重庆其实还是大有机会。

先进制程的芯片主要用于手机、电脑、笔记本等领域，重庆在这方面还是大有优势，不仅是传统的笔电制造基地，OPPO、VIVO在重庆也有生产基地。

不过话说回来，现在这个装置只是个“大科学实验装置”，主要用于理论验证工作，离实际的商业化生产线还有不小的距离。

等理论验证完毕，再建设真正的生产线，怎么也都是几年后的事情了。

重庆超瞬态实验室效果图

是不是可以换句口号了，叫利好重庆科学城？